Электросопротивление Cu$_{2-x}$Se в области температур от 4.2 до 450 K

В интервале температур ${4.2\div450}$ K измерено электросопротивление образцов селенида меди Cu$_{2-x}$Se различного состава (${x=0\div0.3}$) с концентрацией носителей тока ${p= (0.4\div6.6)\cdot 10^{21} см^{-3}}$. Показано, что особенности температурных и концентрационных зависимостей электросопротивления Cu$_{2-x}$Se объясняются фазовыми превращениями, происходящими в интервалах температур ${180\div200}$ и ${291\div413}$ K, переходом от рассеяния носителей тока на экранированном кулоновском потенциале вакансий в области низких температур к фононному рассеянию в области высоких температур и нестандартностью валентной зоны соединения.