RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 7, страницы 1235–1241 (Mi phts2391)  

Особенности поглощения света глубокими примесными центрами в тонких полупроводниковых слоях

В. Д. Кревчик, Э. З. Имамов


Аннотация: Рассмотрено влияние размерного квантования (РК) на коэффициент поглощения (КП) и ток увлечения (ТУ) электронов при фотоионизации глубоких примесных центров. В качестве модели примесных центров принята модель Луковского с волновой функцией, удовлетворяющей граничным условиям на поверхности пленки. Показано, что РК приводит к немонотонной спектральной зависимости КП и ТУ, а также к зависимости положения линий примесного поглощения от толщины пленки $L$. При условии, когда электронные состояния находятся в одном плоском сечении зоны Бриллюэна, исследованы спектральная и угловая зависимости ТУ при рассеянии электронов на акустических фононах. Спад амплитуды ТУ с уменьшением $L$ объясняется возрастанием удельного сопротивления РК пленок, обусловленного спецификой электронных состояний в РК зоне. Проведенные численные оценки ТУ в пленках типа InP, а также оценки порогового значения интенсивности относительно насыщения ТУ показали, что условия реализации ТУ в РК пленках благоприятны для создания датчиков мощного лазерного излучения. Полученные результаты ограничены областью температур ${1 K < T < \Theta/n_{0}}$, где $\Theta$ — температура Дебая, а $n_{0}$ — число атомных слоев в пленке.

Полный текст: PDF файл (900 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. Д. Кревчик, Э. З. Имамов, “Особенности поглощения света глубокими примесными центрами в тонких полупроводниковых слоях”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1235–1241

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KreIma83}
\by В.~Д.~Кревчик, Э.~З.~Имамов
\paper Особенности поглощения света глубокими примесными центрами в~тонких
полупроводниковых слоях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1983
\vol 17
\issue 7
\pages 1235--1241
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2391}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts2391
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v17/i7/p1235

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:6
    Полный текст:4
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021