Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 8, страницы 1457–1462 (Mi phts333)  

Гальваномагнитные свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода металл–диэлектрик

Б. А. Аронзон, А. В. Копылов, Е. З. Мейлихов


Аннотация: Исследуются гальваномагнитные свойства кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода металл–диэлектрик, связанного с индуцированной магнитным полем $B$ локализацией электронов. Показано, что при этом температурные зависимости продольного и поперечного магнитосопротивления можно представить в виде ${\rho^{-1}=\rho^{-1}_{0}\exp(\varepsilon/kT)+\rho^{-1}_{2}}$, где ${\rho_{0},\rho_{2}\sim B}$ и $\rho_{2}$ слабо зависят от $T$. Энергия активации $\varepsilon$ равна нулю до перехода и увеличивается с ростом $B$. Постоянная Холла при этом слабо зависит от $B,T$. Результаты объясняются на основе модели случайно неоднородной среды, возникающей после перехода за счет локализации электронов в ямах флуктуационного потенциала. Проводимость $\rho^{-1}_{2}$ связывается с переносом тока по сетке малоугловых границ.

Полный текст: PDF файл (740 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Б. А. Аронзон, А. В. Копылов, Е. З. Мейлихов, “Гальваномагнитные свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода металл–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1457–1462

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AroMei86}
\by Б.~А.~Аронзон, А.~В.~Копылов, Е.~З.~Мейлихов
\paper Гальваномагнитные свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te после перехода
металл--диэлектрик
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 8
\pages 1457--1462
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts333}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts333
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v20/i8/p1457

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:6
    Полный текст:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022