Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 144–151 (Mi phts3689)  

Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии

В. И. Кайданов, С. А. Рыков, М. А. Рыкова, О. В. Сюрис


Аннотация: Исследованы ВАХ туннельных МДП контактов на основе объемных монокристаллов PbTe$\langle$In$\rangle$. Проведен анализ зависимостей дифференциальной проводимости контактов $\sigma (V)= dI/dV (V)$ и ее производной $\sigma'(V) = d\sigma/dV$, в том числе и на контактах на основе кристаллов $n$-PbTe без примеси In. Выявлены особенности ВАХ, не зависящие от технологии изготовления МДП контактов и присущие только МДП структурам на PbTe$\langle$In$\rangle$. Получено независимое подтверждение существования метастабильных состояний In в PbTe. Наиболее яркое их проявление — гистерезис $\sigma(V)$ при изменении направления развертки $V$ (при $T < 20$ K). Интерпретация гистерезиса проведена в рамках представления о локальной деформации в системе \glqqпримесный центр + решетка» при изменении зарядового состоянии центра (АЛБ феноменологии). Дано объяснение аномальному поведению $\sigma'(V)$ при смещениях, соответствующих горизонтальному участку гистерезисной петли $\sigma (V)$. Анализ изменения гистерезиса $\sigma(V)$ и других особенностей $\sigma$ в зависимости от температуры эксперимента привел к предположению о преимущественно парном заполнении электронами примесных состояний In в PbTe. При этом пиннинг энергии $\varepsilon_{F}$ определяется двукратно заряженными примесными состояниями, одноэлектронный уровень лежит выше $\varepsilon_{F}$ на $\sim35$ мэВ. Из эксперимента сделана оценка величины энергии кулоновского отталкивания двух электронов на примесном центре $U\simeq 60{-}70$ мэВ. Сделано предположение о том, что пик $\sigma$ при $V\simeq 125$ мВ может быть связан с непосредственным проявлением пустого примесного уровня $\varepsilon_{0}$ в туннельном токе, в этом случае $\varepsilon_{0}- \varepsilon_{c}=170{-}175$ мэВ.

Полный текст: PDF файл (954 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. И. Кайданов, С. А. Рыков, М. А. Рыкова, О. В. Сюрис, “Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 144–151

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kai90}
\by В.~И.~Кайданов, С.~А.~Рыков, М.~А.~Рыкова, О.~В.~Сюрис
\paper Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия
в~теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 1
\pages 144--151
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3689}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3689
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i1/p144

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:10
    Полный текст:5
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022