Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 152–158 (Mi phts3690)  

Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском

Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников


Аннотация: Показано, что важнейшие характеристики квантово-размерных (Al, Ga) As ДГС РО лазеров с широким полоском (плотность порогового тока, дифференциальная эффективность, длина волны генерации) в существенной степени определяются эффектами растекания неравновесных носителей из области полоска либо их поверхностной рекомбинацией на его боковых гранях. При малых длинах резонаторов существенную роль может играть также поверхностная рекомбинация на зеркалах. В случаях, когда влияние поверхностной рекомбинации уменьшено, поверхностная плотность тока квантово-размерных ДГС РО лазеров с широким полоском с нелегированной активной областью может быть уменьшена до 43 А/см$^{2}$ (300 K, $L = 2400$ мкм). Умышленное легирование активной области приводит к относительному уменьшению роли поверхностной рекомбинации, однако увеличивает внутренние потери.

Полный текст: PDF файл (893 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, М. Э. Луценко, Б. Я. Мельцер, М. И. Неменов, В. М. Устинов, С. В. Шапошников, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 152–158

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfIvaKop90}
\by Ж.~И.~Алфёров, С.~В.~Иванов, П.~С.~Копьев, Н.~Н.~Леденцов, М.~Э.~Луценко, Б.~Я.~Мельцер, М.~И.~Неменов, В.~М.~Устинов, С.~В.~Шапошников
\paper Растекание и~поверхностная рекомбинация неравновесных носителей
в~квантово-размерных~(Al,\,Ga)As ДГС РО
лазерах с~широким полоском
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 1
\pages 152--158
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3690}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3690
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i1/p152

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:13
    Полный текст:7
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021