Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 159–165 (Mi phts3691)  

Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик

Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Клочкова, Ю. В. Маркин


Аннотация: Развиты теория и методика анализа результатов релаксационных экспериментов по спектроскопии электронных состояний, локализованных в области границы раздела полупроводник$-$диэлектрик, в частности, в условиях туннельного обмена носителями заряда между этими состояниями и разрешенными зонами полупроводника. Построены алгоритмы выделения и обработки сигналов полевой релаксационной спектроскопии (ПРС) из нестационарных полевых зависимостей разрядного тока МДП структуры, регистрируемых одновременно с ВЧ вольтфарадными характеристиками при линейном законе изменения напряжения. На примере Si$-$МОП структур с помощью экспериментов, выполненных в области температур 50$-$90 K, показано, что ПРС — эффективный инструмент исследования характеристик мелких пограничных состояний, в частности области их пространственной локализации. Тем самым ПРС открывает новые возможности изучения влияния конструктивных и технологических факторов на плотность мелких электронных состояний, обусловливающих избыточный шум и нестабильность порогового напряжения полевых транзисторов, в особенности при низких температурах.

Полный текст: PDF файл (898 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Е. И. Гольдман, А. Г. Ждан, А. М. Клочкова, Ю. В. Маркин, “Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник$-$диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 159–165

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Zhd90}
\by Е.~И.~Гольдман, А.~Г.~Ждан, А.~М.~Клочкова, Ю.~В.~Маркин
\paper Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных
состояний в~системах полупроводник$-$диэлектрик
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 1
\pages 159--165
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3691}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3691
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i1/p159

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:9
    Полный текст:3
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022