Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2, страницы 353–358 (Mi phts3729)  

Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия

В. Л. Берковиц, Ю. А. Гольдберг, Т. В. Львова, Е. А. Поссе, Р. В. Хасиева


Аннотация: Исследовался эффект анизотропии оптического отражения поверхности (110) арсенида галлия. Эффект состоит в том, что в спектральной области выше края фундаментального поглощения коэффициенты отражения $R_{\parallel}$ и $R_{\perp}$ света, линейно поляризованного соответственно вдоль двух лежащих на данной плоскости осей [$\bar{1}$10] и [001], оказываются различными. При регистрации эффекта использовалась методика модуляции поляризации падающего излучения. Эксперименты выполнялись на образцах GaAs с разным уровнем легирования, а также на поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs при приложении напряжения смещения. Установлено, что эффекты анизотропии отражения, которые возникают в кристаллах при возрастании концентрации носителей заряда и в структурах при увеличении напряжения смещения, полностью аналогичны и вызваны действием приповерхностного электрического поля $E_{s}$ в области изгиба зон. В обоих случаях выделен сигнал анизотропии, наводимый электрическим полем. Количественные исследования показывают, что амплитуда такого сигнала возрастает пропорционально $E_{s}^{2}$, что согласуется с представлениями теории электрооптических эффектов для случая поверхности (110) и нормального к ней электрического поля.

Полный текст: PDF файл (732 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. Л. Берковиц, Ю. А. Гольдберг, Т. В. Львова, Е. А. Поссе, Р. В. Хасиева, “Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 353–358

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ber90}
\by В.~Л.~Берковиц, Ю.~А.~Гольдберг, Т.~В.~Львова, Е.~А.~Поссе, Р.~В.~Хасиева
\paper Влияние приповерхностного электрического поля на~анизотропию
оптического отарежения поверхности~(110) арсенида галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 2
\pages 353--358
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3729}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3729
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i2/p353

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:6
    Полный текст:4
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022