Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2, страницы 363–365 (Mi phts3732)  

Краткие сообщения

Рекомбинационные свойства кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te$\langle$Xe$\rangle$

Н. С. Барышев, М. И. Ибрагимова, И. Б. Хайбуллин


Полный текст: PDF файл (434 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Н. С. Барышев, М. И. Ибрагимова, И. Б. Хайбуллин, “Рекомбинационные свойства кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te$\langle$Xe$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 363–365

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Н.~С.~Барышев, М.~И.~Ибрагимова, И.~Б.~Хайбуллин
\paper Рекомбинационные свойства
кристаллов~Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te$\langle$Xe$\rangle$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 2
\pages 363--365
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3732}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3732
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i2/p363

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:6
    Полный текст:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022