Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 710–716 (Mi phts3808)  

Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H

В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков


Аннотация: Исследованы основные характеристики стационарной фотолюминесценции (ФЛ), ее температурная зависимость, а также кинетика затухания ФЛ пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H различного состава, полученных разложением смеси газов SiH$_{4}{-}$CH$_{4}{-}$Ar в ВЧ тлеющем разряде.
Показано, что ФЛ состоит из одной почти симметричной полосы, положение максимума которой и полуширина растут с ростом $x$ от значений 1.4 и 0.30 эВ при $x=0$ до значений 2.3$-$2.9 и 0.8 эВ при $x\sim 1$. При этом резко ослабляется температурное гашение интенсивности ФЛ, а кинетика ее затухания на несколько порядков убыстряется, демонстрируя переход от туннельной к экситоноподобной излучательной рекомбинации.
При возбуждении \glqqхвост$-$хвост» обнаружено крыло антистоксовского излучения, относительная интенсивность которого увеличивается по мере роста температуры и уменьшения энергии возбуждающих квантов. Обсуждаются возможные причины сильной пространственной корреляции неравновесных электронов и дырок в пленках, обогащенных углеродом. На основании данных по антистоксовскому излучению делается вывод о том, что причиной такой корреляции является локализация носителей заряда на микронеоднородностях аморфной структурной сетки. Делается предположение о том, что эти неоднородности представляют собой нанокластеры графитовой фазы.
Анализ концентрационных зависимостей параметров ФЛ приводит также к заключению о том, что пленки $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H, выращенные указанным выше методом, остаются однородными лишь при малом содержании углерода ($x < 0.3\div 0.4$).

Полный текст: PDF файл (877 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. А. Васильев, А. С. Волков, Е. Мусабеков, Е. И. Теруков, В. Е. Челноков, С. В. Чернышев, Ю. М. Шерняков, “Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 710–716

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerCheShe90}
\by В.~А.~Васильев, А.~С.~Волков, Е.~Мусабеков, Е.~И.~Теруков, В.~Е.~Челноков, С.~В.~Чернышев, Ю.~М.~Шерняков
\paper Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$\,:\,H
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 4
\pages 710--716
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3808}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3808
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i4/p710

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:4
    Полный текст:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022