Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 717–719 (Mi phts3809)  

Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов

П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов


Аннотация: Методом МПЭ получены на подложках GaAs гетероструктуры GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами и исследованы их магнитотранспортные свойства. Введение в конструкцию структуры дополнительной узкой квантовой ямы позволило значительно увеличить подвижность носителей при низких температурах.

Полный текст: PDF файл (355 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: П. С. Копьев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 717–719

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KopIvaLed90}
\by П.~С.~Копьев, С.~В.~Иванов, Н.~Н.~Леденцов, Б.~Я.~Мельцер, М.~Ю.~Надточий, В.~М.~Устинов
\paper Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии
гетероструктур~GaSb/InAs/GaSb с~высокой подвижностью двумерных электронов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 4
\pages 717--719
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3809}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3809
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i4/p717

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:9
    Полный текст:3
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021