Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 720–723 (Mi phts3810)  

Электропроводность $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле

В. Денис, З. Мартунас, А. Шяткус


Аннотация: На микронных и субмикронных $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структурах GaAs (длина $n$-области $L =0.25\div 8$ мкм, а концентрация электронов в ней $2\cdot 10^{17}$ см$^{-3}$) в слабо греющих электрических полях ($\leqslant100$ В/см) при температурах решетки $295\div 78$ K измерены зависимости коэффициента нелинейности вольтамперной характеристики $\beta$ от длины $L$. Обнаружено, что уменьшение $L$ до величин, соизмеримых с характерной длиной остывания электронов, приводит к значительному падению абсолютного значения $\beta$. Показано, что основной причиной эффекта является теплопроводность электронного газа, обусловливающая вынос энергии теплых электронов через контакт и понижение степени среднего по объему разогрева носителей заряда в $n$-области.

Полный текст: PDF файл (537 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. Денис, З. Мартунас, А. Шяткус, “Электропроводность $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 720–723

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarShy90}
\by В.~Денис, З.~Мартунас, А.~Шяткус
\paper Электропроводность $n^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур GaAs микронной
и~субмикронной длин в~слабо греющем электрическом поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 4
\pages 720--723
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3810}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts3810
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v24/i4/p720

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:5
    Полный текст:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022