Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 8, страницы 1446–1461 (Mi phts4771)  

Переход металл$-$диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия

Б. А. Аронзон, И. Л. Дричко


Аннотация: Рассмотрена качественная картина перехода металл$-$диэлектрик, индуцированного магнитным полем, в сильно легированном $n$-InSb. Картина основана на анализе результатов гальваномагнитных и акустических измерений в температурном диапазоне (${0.05\div 20}$) K, магнитных полях до 60 кЭ и в области частот ультразвука (${100\div 1200}$) МГц. Показано, что характер перехода различен в слабо и сильно компенсированном материале.
В слабо компенсированном $n$-InSb (${K<0.5}$) переход металл$-$диэлектрик связан с локализацией элехтронов на отдельных примесных центрах— эффектом магнитного вымораживания. В сильно компенсированном $n$-InSb (${K\simeq 0.7\div0.8}$) в магнитном поле сначала происходит локализация электронов в ямах крупномасштабного потенциала, связанного с флуктуациями концентрации примесей, при этом образуются металлические капли, не связанные между собой. При росте магнитного поля процесс дробления капель сопровождается локализацией электронов на отдельных примесных центрах — и внутри капель, и на уровне Ферми.
Наконец, в материале с очень высоким уровнем компенсации (${K>0.9}$) уровень Ферми расположен настолько низко в зоне, что локализация электронов вновь происходит в мелкомасштабном потенциале, как в слабо легированном сильно компенсированном веществе.

Полный текст: PDF файл (2082 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Б. А. Аронзон, И. Л. Дричко, “Переход металл$-$диэлектрик в магнитном поле в сильно легированном антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1446–1461

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AroDri92}
\by Б.~А.~Аронзон, И.~Л.~Дричко
\paper Переход металл$-$диэлектрик в~магнитном поле в~сильно легированном
антимониде индия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 8
\pages 1446--1461
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4771}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts4771
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v26/i8/p1446

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:7
    Полный текст:13
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022