Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1701–1714 (Mi phts4815)  

Колебательные спектры и эффективные ионные заряды в кристаллах AgAsS$_{2}$ и TlAsS$_{2}$

Н. Н. Сырбу, Ф. И. Пасечник


Аннотация: Исследовано рамановское рассеяние в актуальных геометриях кристаллов AgAsS$_{2}$ и TlAsS$_{2}$ при 300 и 77 K. Измерены спектры отражения в ИК области (2$-$200 мкм) в поляризациях $E\parallelc$ и $E\parallelb$, рассчитаны контуры отражения и определены основные параметры колебательных мод кристаллов TlAsS$_{2}$ и AgAsS$_{2}$. Рассчитаны и определены эффективные заряды Сиггети, динамический борновский заряд и относительные ионные заряды анионов и катионов.

Полный текст: PDF файл (1468 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Н. Н. Сырбу, Ф. И. Пасечник, “Колебательные спектры и эффективные ионные заряды в кристаллах AgAsS$_{2}$ и TlAsS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1701–1714

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Н.~Н.~Сырбу, Ф.~И.~Пасечник
\paper Колебательные спектры и~эффективные ионные заряды в~кристаллах
AgAsS$_{2}$ и~TlAsS$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 10
\pages 1701--1714
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4815}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts4815
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v26/i10/p1701

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:36
    Полный текст:20
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022