Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1715–1722 (Mi phts4816)  

Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов


Аннотация: Сообщается о получении изолированных квантовых проволок и квантовых точек в системе GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Способ основан на гетероэпитаксиальном росте на фасетированных поверхностях и включает в себя формирование двух латеральных сверхрешеток GaAs в матрице AlAs. В середине промежуточного слоя AlAs мы выращивали изолированные кластеры GaAs. Эти кластеры ответственны за сильную локальную связь между двумя латеральными сверхрешетками и приводят к появлению нового типа локализованных состояний — квантовых проволок и квантовых точек.

Полный текст: PDF файл (1043 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1715–1722

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfIvaKop92}
\by Ж.~И.~Алфёров, А.~Ю.~Егоров, А.~Е.~Жуков, С.~В.~Иванов, П.~С.~Копьев, Н.~Н.~Леденцов, Б.~Я.~Мельцер, В.~М.~Устинов
\paper Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs
на~ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 10
\pages 1715--1722
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4816}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts4816
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v26/i10/p1715

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:11
    Полный текст:5
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021