Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 356–357 (Mi phts81)  

Краткие сообщения

Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного $n$-германия в области электрон-фононного увлечения

П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко

Институт полупроводников АН УССР

Полный текст: PDF файл (292 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Поступила в редакцию: 20.08.1985
Принята в печать:02.09.1985

Образец цитирования: П. И. Баранский, В. В. Савяк, Ю. В. Симоненко, “Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного $n$-германия в области электрон-фононного увлечения”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 356–357

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarSavSim86}
\by П.~И.~Баранский, В.~В.~Савяк, Ю.~В.~Симоненко
\paper Термоэлектрические характеристики упруго-деформированного
$n$-германия в~области электрон-фононного увлечения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 2
\pages 356--357
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts81}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts81
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v20/i2/p356

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:7
    Полный текст:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022