Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 10, страницы 1807–1812 (Mi phts909)  

Двухстадийная релаксация электронной температуры в ограниченном кристалле $n$-InSb в квантующем магнитном поле

Б. А. Аронзон, Г. Д. Ефремова, Е. З. Мейлихов


Аннотация: Экспериментально исследована релаксация температуры электронов в $n$-InSb с ${n=1.2\cdot 10^{15} см^{-3}}$ при ${T=1.6\div4.2}$ K в магнитных полях ${B\leqslant5}$ Т. Измерения проводились «динамическим» методом — с помощью изучения релаксации проводимости за времена 3$-$100 нс. Показано, что релаксация электронной температуры определяется двумя двухстадийными конкурирующими процессами. На первой стадии в одном из каналов происходит взаимодействие электронов с длинноволновыми акустическими фононами, а в другом — косвенное взаимодействие с более коротковолновыми фононами через появляющиеся в сильном магнитном поле нейтральные центры. На второй стадии происходит релаксация избыточной энергии фононов на границе образца. Показано принципиальное различие времен, определенных стационарным и динамическим методами.

Полный текст: PDF файл (714 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Б. А. Аронзон, Г. Д. Ефремова, Е. З. Мейлихов, “Двухстадийная релаксация электронной температуры в ограниченном кристалле $n$-InSb в квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1807–1812

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AroEfrMei87}
\by Б.~А.~Аронзон, Г.~Д.~Ефремова, Е.~З.~Мейлихов
\paper Двухстадийная релаксация электронной температуры в~ограниченном
кристалле $n$-InSb в~квантующем магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 10
\pages 1807--1812
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts909}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts909
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v21/i10/p1807

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:6
    Полный текст:6
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022