Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 3, страницы 684–686 (Mi qe10039)  

Краткие сообщения

Генерация на λ = 502 нм при длительной световой накачке паров HgBr2

С. П. Бажулин, Н. Г. Басов, В. С. Зуев, Ю. С. Леонов, Ю. Ю. Стойлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается о получении лазерной генерации длительностью ~ 2 мкс в зеленой области спектра при фотодиссоциации паров HgBr2 светом открытого сильноточного разряда. Измерены скорости тушения люминесценции различными буферными газами.

Полный текст: PDF файл (684 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:3, 402–403

Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.55.Ks, 82.50.Et
Поступила в редакцию: 29.08.1977

Образец цитирования: С. П. Бажулин, Н. Г. Басов, В. С. Зуев, Ю. С. Леонов, Ю. Ю. Стойлов, “Генерация на λ = 502 нм при длительной световой накачке паров HgBr2”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 684–686 [Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 402–403]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe10039
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v5/i3/p684

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:90
    Полный текст:52
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021