Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 12, страницы 2604–2613 (Mi qe10244)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Экспериментальное исследование внутренних потерь в йодных лазерах с накачкой УФ излучением открытого сильноточного разряда

В. С. Зуев, К. С. Корольков, О. Ю. Носач, Е. П. Орлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследованы внутренние потери в йодных фотодиссоционных лазерах. Показано, что доминирующую роль играют рефракционные потери: в исследуемом лазере коэффициент рефракционных потерь составляет $(2-6)\cdot10^{-4}$ см$ ^{-1}$, а коэффициент потерь, обусловленных объемным поглощением лазерного излучения в активной области, не превышает $10^{-4}$ см$ ^{-1}$. Обсуждены возможности уменьшения внутренних потерь в йодных лазерах.

Полный текст: PDF файл (1768 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:12, 1521–1526

Реферативные базы данных:

УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Ks
Поступила в редакцию: 09.07.1980

Образец цитирования: В. С. Зуев, К. С. Корольков, О. Ю. Носач, Е. П. Орлов, “Экспериментальное исследование внутренних потерь в йодных лазерах с накачкой УФ излучением открытого сильноточного разряда”, Квантовая электроника, 7:12 (1980), 2604–2613 [Sov J Quantum Electron, 10:12 (1980), 1521–1526]

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZueKorNos80}
\by В.~С.~Зуев, К.~С.~Корольков, О.~Ю.~Носач, Е.~П.~Орлов
\paper Экспериментальное исследование внутренних потерь в йодных лазерах с накачкой УФ излучением открытого сильноточного разряда
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 12
\pages 2604--2613
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10244}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 12
\pages 1521--1526
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n12ABEH010244}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=A1980KY63500015}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe10244
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v7/i12/p2604

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Kutaev Yu.F. Mankevich S.K. Nosach O.Yu. Orlov E.P., J. Opt. Technol., 78:2 (2011), 93–101  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:76
    Полный текст:61
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021