RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 11, страницы 2156–2161 (Mi qe10836)  

Лазеры и физические процессы в них

Исследование оптического усиления в AlGaAsSb/GaSb-гетеролазерах

А. Л. Вирро, Я. А. Аарик, П. А. Лыук, Я. К. Фридентал

Институт физики АН ЭССР, Тарту

Аннотация: Из измерений оптического усиления в ДГС-лазерах на основе AlGaAsSb/GaSb при температурах 90–305 K получены зависимости коэффициента усиления от уровня накачки для активного GaSb-слоя (p ≈ 1018см–3). Показано, что коэффициент усиления линейно зависит от номинального тока накачки j по закону g = β(jj0). При температуре 300 K параметры β и j0 составляют 47 см·мкм·кА–1 и 4,5 кА·см–2·мкм–1 соответственно. Измерены температурные зависимости β и j0. На основе экспериментальных данных оценены минимальные плотности порогового тока и оптимальные толщины активного слоя для ДГС-лазеров на основе AlGaAsSb/GaSb. Согласно этим оценкам в лазерах, имеющих толщину активного слоя, не превышающую 0,1 мкм, и оптические потери ниже 30 см–1, плотность порогового тока можно снизить до 1 кА·см–2.

Полный текст: PDF файл (869 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:11, 1375–1378

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038:825.4
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 73.40.Kp
Поступила в редакцию: 12.08.1986

Образец цитирования: А. Л. Вирро, Я. А. Аарик, П. А. Лыук, Я. К. Фридентал, “Исследование оптического усиления в AlGaAsSb/GaSb-гетеролазерах”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2156–2161 [Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1375–1378]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe10836
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v14/i11/p2156

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:82
    Полный текст:59
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021