| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Новые лазерные переходы в спектре олова и механизм создания инверсии населенностей уровней В. В. Жуков, Е. Л. Латуш, В. С. Михалевский, M. Ф. Сэм Ростовский государственный университет Аннотация: Сообщается о получении генерации на линиях 558,9, 579,9, 1062 и 1074 нм в спектре Sn II и 657,9 нм в спектре Sn I. Показано, что накачка ионных лазерных переходов осуществляется за счет рекомбинации Sn++ и процессов перезарядки при соударениях ионов гелия или неона с атомами олова.  Полный текст:
PDF файл (484 kB)
Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:4, 
Тип публикации: Статья УДК: 621.378.325:621.359.3 PACS: 42.60.C Поступила в редакцию: 08.10.1974 Образец цитирования: В. В. Жуков, Е. Л. Латуш, В. С. Михалевский, M. Ф. Сэм, “Новые лазерные переходы в спектре олова и механизм создания инверсии населенностей уровней”, Квантовая электроника, 2:4 (1975), Образцы ссылок на эту страницу:
Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Обратная связь: |
 Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|