RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 1, страницы 45–48 (Mi qe1134)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением

С. В. Гарновa, С. М. Климентовa, В. И. Коновb, Т. В. Кононенкоb, Ф. Даусингерc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
c Institut für Strahlwerkzeuge, Universität Stuttgart, Germany

Аннотация: Измерение скоростей лазерного травления различных материалов интенсивным (до 1014 Вт/см2) импульсным излучением продемонстрировало существенное снижение эффективности травления при формировании глубоких аблированных каналов. Измерены оптические характеристики образующегося плазменно-парового факела. На основании этих измерений и численных оценок предложены два возможных физических механизма дополнительной экранировки, вызванной взаимодействием со стенками канала: ограничение радиального разлета плазмы и увеличение ее плотности за счет испарения материала стенок переизлучением плазменной области.

Полный текст: PDF файл (195 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, 28:1, 42–45

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.62.Cf, 52.40.Hf, 52.40.Nk
Поступила в редакцию: 01.08.1997

Образец цитирования: С. В. Гарнов, С. М. Климентов, В. И. Конов, Т. В. Кононенко, Ф. Даусингер, “Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 25:1 (1998), 45–48 [Quantum Electron., 28:1 (1998), 42–45]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe1134
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v25/i1/p45

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Jiang L., Fang J., Cao Q., Zhang K., Wang P., Yu Ya., Huang Q., Lu Y., Appl. Optics, 53:31 (2014), 7290–7295  crossref  isi  scopus
    2. Tokarev V.N. Cheshev E.A. Bezotosnyi V.V. Khomich V.Yu. Mikolutskiy S.I. Vasil'yeva N.V., Laser Phys., 25:5 (2015), 056003  crossref  isi  elib  scopus
    3. Yin K., Wang C., Dong X., Song Yu., Duan Ji'an, Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process., 122:8 (2016)  crossref  zmath  isi  elib  scopus
    4. В. В. Кононенко, В. И. Конов, Квантовая электроника, 48:1 (2018), 40–44  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:1 (2018), 40–44  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:125
    Полный текст:73
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020