|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1409–1414
(Mi qe11421)
|
|
|
|
Импульсная генерация в парах бериллия
В. В. Жуков, В. Г. Ильюшко, Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм Ростовский государственный университет
Аннотация:
Показана возможность существования инверсии на ряде переходов в спектре Be II. Экспериментально получена генерация на ионных переходах бериллия: 4F–3D с λ = 467,5 нм, 4S–3Р с λ = 527,2 нм и ЗР–3S с λ = 1209,6 нм в послесвечении импульсного разряда. Установлено, что накачка лазерных уровней осуществляется за счет перезарядки ионов гелия или неона на атомах бериллия, а также за счет рекомбинации двухкратных ионов бериллия. Показано, что значительное влияние на существование инверсии и характеристики генерации оказывают неупругие удары медленных электронов.
Полный текст:
PDF файл (937 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:7, 757–760
Тип публикации:
Статья
УДК:
621.378.325:621.359.3
PACS:
42.60.C Поступила в редакцию: 22.11.1974
Образец цитирования:
В. В. Жуков, В. Г. Ильюшко, Е. Л. Латуш, M. Ф. Сэм, “Импульсная генерация в парах бериллия”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1409–1414 [Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 757–760]
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe11421 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v2/i7/p1409
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 98 | Полный текст: | 65 |
|