RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 9, страницы 2078–2080 (Mi qe11887)  

Краткие сообщения

Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия

H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Полный текст: PDF файл (583 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:9, 1137–1139

Тип публикации: Статья
УДК: 621.382
PACS: 85.30.Fg, 85.20.Vq
Поступила в редакцию: 18.03.1976

Образец цитирования: H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 2078–2080 [Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1137–1139]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe11887
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v3/i9/p2078

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:82
    Полный текст:45
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021