RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 10, страницы 2101–2126 (Mi qe11902)  

Оптически индуцированное изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах и его использование для создания обратимой голографической памяти (обзор)

В. В. Воронов, Ю. С. Кузьминов, В. В. Осико

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены механизмы образования индуцированного светом изменения показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах, в основу которых положены модели Чена, Джонстона, Амодея и Гласса, показаны их различие и сходство, приведены соотношения, связывающие изменения показателя преломления Δn с плотностью мощности излучения и с другими феноменологическими параметрами, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными. Рассмотрены методические вопросы измерения Δn, влияния на образование Δn легирующих добавок, термической и электрической обработок кристалла.

Полный текст: PDF файл (4835 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:10, 1143–1157

Тип публикации: Статья
УДК: 772.9(047):537.226+535.215
PACS: 78.20.Dj, 42.40.Kw
Поступила в редакцию: 15.07.1975
Исправленный вариант: 02.04.1976

Образец цитирования: В. В. Воронов, Ю. С. Кузьминов, В. В. Осико, “Оптически индуцированное изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах и его использование для создания обратимой голографической памяти (обзор)”, Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2101–2126 [Sov J Quantum Electron, 6:10 (1976), 1143–1157]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe11902
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v3/i10/p2101

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:68
    Полный текст:36

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019