Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 6, страницы 1249–1256 (Mi qe12878)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. I. Принципы получения генерации в рекомбинационном режиме

В. В. Жуков, Е. Л. Латуш, В. С. Михалевский, M. Ф. Сэм

Ростовский государственный университет

Аннотация: В работе с общих позиций рассматриваются особенности получения генерации в процессе рекомбинации плазмы в послесвечении газового разряда, Показано, что для эффективной накачки рабочих уровней ударно-радиационной рекомбинацией необходимо создавать достаточно большие плотности плазмы, как можно быстрее и глубже охлаждать электронный газ после импульса тока, использовать рекомбинацию двукратных ионов с высокой начальной концентрацией. Показано, что наиболее удобным является использование рекомбинации в послесвечении разряда в парах легкоионизуемых элементов в смеси с гелием. С учетом того, что в период релаксации плазмы весьма существенными оказываются переходы между уровнями за счет электронного девозбуждения, выработаны требования к расположению лазерных переходов в приближении групп уровней. Получен обобщенный критерий существования инверсии. Отдельно рассмотрены случаи радиационного и столкновительного режимов в случае разреженных уровней. В заключение сформулированы общие требования к расположению уровней для получения инверсии в условиях рекомбинационно-столкновительной кинетики.

Полный текст: PDF файл (1351 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:6, 704–708

Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325:621.359.3
PACS: 42.55.Hg
Поступила в редакцию: 21.07.1976

Образец цитирования: В. В. Жуков, Е. Л. Латуш, В. С. Михалевский, M. Ф. Сэм, “Рекомбинационные лазеры на парах химических элементов. I. Принципы получения генерации в рекомбинационном режиме”, Квантовая электроника, 4:6 (1977), 1249–1256 [Sov J Quantum Electron, 7:6 (1977), 704–708]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe12878
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v4/i6/p1249

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    Цикл статей

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Singh D.K. Dikshit B. Vijayan R. Nayak A. Mishra S.K. Mukherjee J. Rawat V.S., Laser Phys., 30:11 (2020), 115001  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:299
    Полный текст:69
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021