RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 4, страницы 309–314 (Mi qe13141)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры и усилители

Дифракционная модель полупроводникового усилителя

Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, А. Г. Сухарев, В. Н. Трощиева

ФГУП ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований

Аннотация: Создана трехмерная дифракционная модель полупроводникового усилителя на основе гетероструктур, описывающая распространение поля и установление оптической моды с учетом кинетики усиления в рамках диффузионного уравнения для носителей тока в квантовой яме. Приводятся результаты применения этой модели для усилителя с асимметричным широким волноводом и антиволноводной структурой в боковом направлении, не удерживающей поле. Показано, что для такой структуры длина установления основной моды сопоставима с длиной, на которой слабый сигнал увеличивается на два порядка. Анализируется баланс усиления и потерь для установившейся моды в зависимости от ширины волноводных вставок. Изучено влияние этой ширины на свойства основной оптической моды, в том числе на распределение поля в дальней зоне.

Полный текст: PDF файл (178 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2006, 36:4, 309–314

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.25.Fx
Поступила в редакцию: 29.11.2005

Образец цитирования: Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, А. Г. Сухарев, В. Н. Трощиева, “Дифракционная модель полупроводникового усилителя”, Квантовая электроника, 36:4 (2006), 309–314 [Quantum Electron., 36:4 (2006), 309–314]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe13141
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v36/i4/p309

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1014–1018  mathnet; Quantum Electron., 49:11 (2019), 1014–1018  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:109
    Полный текст:65
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020