RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 9, страницы 857–862 (Mi qe13530)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра

И. П. Казаковa, В. И. Козловскийa, В. П. Мартовицкийa, Я. К. Скасырскийa, Ю. М. Поповa, П. И. Кузнецовb, Г. Г. Якущеваb, А. О. Забежайловc, Е. М. Диановc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт радиотехники и электроники РАН, г. Фрязино, Московская обл.
c Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Эпитаксиальные слои ZnMgSSe и наноструктуры ZnSe/ZnMgSSe с квантовыми ямами выращены методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ПФЭМОС) на подложках из GaAs. Исследованы их структурные и люминесцентные свойства в зависимости от содержания Mg и S. Обнаружен распад твердого раствора ZnMgSSe на структурные фазы в образцах с шириной запрещенной зоны свыше 2.9 эВ при T = 300 К. Распад затрудняет создание эффективных лазеров. Показано, что высокая однородность кристаллической решетки барьерных слоев ZnMgSSe возможна в периодических наноструктурах ZnSe/ZnMgSSe, выращенных методом ПФЭМОС при T≈430°С. На основе таких структур реализован лазер с выходной мощностью 1.5 Вт на длине волны 458 нм при продольной накачке электронами с энергией 42 кэВ при комнатной температуре.

Полный текст: PDF файл (178 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2007, 37:9, 857–862

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 42.60.Lh
Поступила в редакцию: 24.01.2007

Образец цитирования: И. П. Казаков, В. И. Козловский, В. П. Мартовицкий, Я. К. Скасырский, Ю. М. Попов, П. И. Кузнецов, Г. Г. Якущева, А. О. Забежайлов, Е. М. Дианов, “Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра”, Квантовая электроника, 37:9 (2007), 857–862 [Quantum Electron., 37:9 (2007), 857–862]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe13530
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v37/i9/p857

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. E. M. Dianov, Her Russ Acad Sci, 79:6 (2009), 533  crossref  isi  elib  scopus
    2. A. N. Georgobiani, V. P. Martovitskii, E. V. Perlov, V. P. Tokareva, Bull Lebedev Phys Inst, 37:4 (2010), 119  crossref  adsnasa  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:146
    Полный текст:60
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020