RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 8, страницы 755–763 (Mi qe13761)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазерная спектроскопия

Использование метода трехуровневой лазерной спектроскопии для исследования сверхтонкой структуры эмиссионных линий молекулы I2

Ю. А. Матюгин, М. В. Охапкин, М. Н. Скворцов, С. М. Игнатович, С. Н. Багаев

Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Предлагается использовать узкие оптические резонансы, соответствующие компонентам сверхтонкой структуры эмиссионных переходов I2, в качестве частотных реперов для стабилизации частоты лазерного излучения в диапазоне 0.8 — 1.3 мкм. Для получения таких резонансов и исследования сверхтонкой структуры эмиссионных переходов создана экспериментальная установка, представляющая собой комбинацию двух лазерных спектрометров: спектрометра насыщенного поглощения и трехуровневого спектрометра. В качестве возбуждающего излучения в установке используется вторая гармоника излучения непрерывного Nd:YAG-лазера, а зондирующее излучение в диапазоне 968 — 998 нм генерируется диодным лазером с внешним резонатором. Пучки излучения обоих лазеров пространственно совмещаются в ячейке с парами иода, при этом для возбуждающего излучения в ячейке создается режим двух встречных волн. Продемонстрировано, что при фазовой модуляции возбуждающего излучения в центре доплеровской линии на обоих переходах — поглощающем и эмиссионном — возникают узкие резонансы, имеющие вид дисперсионной зависимости. Эти резонансы могут использоваться в качестве реперов для стабилизации частоты лазерного излучения. Представлены результаты исследования сверхтонкой структуры эмиссионной линии на переходе (J ' = 57, v ' = 32) → (J '' = 58, v '' = 48) при возбуждении на переходе (J '' = 56, v '' = 0) → (J ' = 57, v ' = 32).

Полный текст: PDF файл (194 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, 38:8, 755–763

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.62.Fi, 42.62.Eh, 33.15.Pw
Поступила в редакцию: 21.11.2007

Образец цитирования: Ю. А. Матюгин, М. В. Охапкин, М. Н. Скворцов, С. М. Игнатович, С. Н. Багаев, “Использование метода трехуровневой лазерной спектроскопии для исследования сверхтонкой структуры эмиссионных линий молекулы I2”, Квантовая электроника, 38:8 (2008), 755–763 [Quantum Electron., 38:8 (2008), 755–763]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe13761
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v38/i8/p755

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Ю. А. Матюгин, С. М. Игнатович, С. А. Кузнецов, М. И. Нестеренко, М. В. Охапкин, В. С. Пивцов, М. Н. Скворцов, С. Н. Багаев, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 250–257  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 42:3 (2012), 250–257  crossref  isi
    2. М. И. Нестеренко, С. М. Игнатович, С. А. Кузнецов, Ю. А. Матюгин, М. Н. Скворцов, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 633–640  mathnet; Quantum Electron., 49:7 (2019), 633–640  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:94
    Полный текст:64
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020