RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 9, страницы 829–832 (Mi qe13814)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Активные среды. Лазеры

Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем

К. В. Бережнойa, А. С. Насибовa, П. В. Шапкинa, В. Г. Шпакb, С. А. Шунайловb, М. И. Яландинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Определена зависимость мощности излучения пластин селенида цинка, помещенных в воздушный зазор между электродами, от амплитуды подаваемых высоковольтных субнаносекундных импульсов и величины зазора. Приведены спектры лазерного излучения образцов при возбуждении их электронным пучком и электрическим полем. Показано влияние формы электродов на картину излучения. Наблюдалось увеличение длительности лазерного импульса по сравнению с длительностью возбуждающего высоковольтного импульса. Высказано предположение о том, что наиболее вероятной причиной этого являются процессы рекомбинационного излучения, протекающие в плотной электронно-дырочной плазме.

Полный текст: PDF файл (277 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, 38:9, 829–832

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh
Поступила в редакцию: 05.02.2008
Исправленный вариант: 22.05.2008

Образец цитирования: К. В. Бережной, А. С. Насибов, П. В. Шапкин, В. Г. Шпак, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, “Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем”, Квантовая электроника, 38:9 (2008), 829–832 [Quantum Electron., 38:9 (2008), 829–832]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe13814
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v38/i9/p829

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. K. V. Berezhnoy, A. S. Nasibov, A. G. Reutova, P. V. Shapkin, S. A. Shunailov, M. I. Yalandin, Opt Mem Neural Networks, 18:4 (2009), 285  crossref  elib  scopus
    2. K. V. Berezhnoi, M. B. Bochkarev, A. S. Nasibov, A. G. Reutova, S. A. Shunailov, M. I. Yalandin, Instrum Exp Tech, 53:2 (2010), 272  crossref  isi  elib  scopus
    3. A. S. Nasibov, G. L. Danielyan, V. G. Bagramov, K. V. Berezhnoi, P. V. Shapkin, Bull. Lebedev Phys. Inst, 38:4 (2011), 101  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, Г. Л. Даниелян, А. С. Насибов, А. Г. Реутова, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, Квантовая электроника, 42:1 (2012), 34–38  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 42:1 (2012), 34–38  crossref  isi
    5. П. О. Вильтовский, М. И. Ломаев, А. Н. Панченко, Н. А. Панченко, Д. В. Рыбка, В. Ф. Тарасенко, Квантовая электроника, 43:7 (2013), 605–609  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 43:7 (2013), 605–609  crossref  isi
    6. А. С. Насибов, К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, А. Г. Садыкова, П. В. Шапкин, С. А. Шунайлов, Квантовая электроника, 44:3 (2014), 201–205  mathnet  elib; Quantum Electron., 44:3 (2014), 201–205  crossref  isi
    7. Panchenko A.N. Lomaev M.I. Panchenko N.A. Tarasenko V.F. Suslov A.I., Xx International Symposium on High-Power Laser Systems and Applications 2014, Proceedings of Spie, 9255, ed. Tang C. Chen S. Tang X., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2015, 92552V  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:77
    Полный текст:50
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019