RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 11, страницы 1001–1004 (Mi qe13881)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Получение широкого спектра волноводного усиления в асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктурах на основе Ga0.47In0.53As/Ga0.18In0.82As0.4P0.6

Д. В. Ушаковa, В. К. Кононенкоb

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск

Аннотация: В рамках четырехзонного kp-метода проведен детальный теоретический анализ спектров волноводного усиления асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктур на основе соединений Ga0.47In0.53As/Ga0.18In0.82As0.4P0.6. Предложена эффективная процедура получения широкого и практически плоского спектра усиления. Рассчитаны конструкции полупроводниковых излучателей с различными наборами неоднородно возбужденных квантовых ям, дающих широкий спектр волноводного усиления в диапазонах 1.28 — 1.525 и 1.36 — 1.6 мкм.

Полный текст: PDF файл (145 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, 38:11, 1001–1004

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.62.Fi
Поступила в редакцию: 21.04.2008
Исправленный вариант: 27.05.2008

Образец цитирования: Д. В. Ушаков, В. К. Кононенко, “Получение широкого спектра волноводного усиления в асимметричных многослойных квантоворазмерных гетероструктурах на основе Ga0.47In0.53As/Ga0.18In0.82As0.4P0.6”, Квантовая электроника, 38:11 (2008), 1001–1004 [Quantum Electron., 38:11 (2008), 1001–1004]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe13881
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v38/i11/p1001

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин, Квантовая электроника, 43:11 (2013), 999–1002  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 43:11 (2013), 999–1002  crossref  isi
    2. A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, Semiconductors, 48:1 (2014), 83  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 390–394  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:100
    Полный текст:63
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020