RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 11, страницы 1028–1032 (Mi qe14159)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры

Моделирование полупроводникового лазера на основе наноразмерной гетероструктуры с продольной накачкой электронным пучком

Д. В. Высоцкийa, Н. Н. Ёлкинa, А. П. Напартовичa, В. И. Козловскийb, Б. М. Лаврушинb

a ФГУП «ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований»
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Разработана численная трехмерная модель полупроводникового лазера с вертикальным резонатором (ПЛВР), содержащего резонансную решетку квантовых ям (КЯ). Cамосогласованым образом решены уравнение Гельмгольца для поля и уравнение диффузии для среды, в котором источником носителей заряда является электронный пучок, что позволило найти продольный и радиальный профили генерируемого поля, его частоту, а также пороговый ток накачки. Рассчитаны характеристики мод более высокого порядка на фоне замороженной среды, сформированной генерируемой модой. Предел устойчивости одномодового режима и тип моды, начинающей генерацию при увеличении накачки, найдены из расчета баланса усиления и потерь мод более высокого порядка. Разработан итерационный алгоритм, позволяющий рассчитывать характеристики ПЛВР с большим количеством КЯ, при этом время вычислений линейно растет с числом КЯ. Приведены результаты расчета профилей мод резонатора и спектра их частот для ПЛВР с цилиндрической симметрией. Определены пределы устойчивой одномодовой генерации. Проведено качественное сопоставление с экспериментом.

Полный текст: PDF файл (179 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, 39:11, 1028–1032

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 41.75.Fr
Поступила в редакцию: 19.05.2009
Исправленный вариант: 08.07.2009

Образец цитирования: Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, “Моделирование полупроводникового лазера на основе наноразмерной гетероструктуры с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 39:11 (2009), 1028–1032 [Quantum Electron., 39:11 (2009), 1028–1032]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14159
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v39/i11/p1028

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. A. P. Napartovich, N. N. Elkin, D. V. Vysotsky, Opt Quant Electron, 2011  crossref  isi  elib  scopus
    2. Nikolay N. Elkin, Anatoly P. Napartovich, Dmitry V. Vysotsky, Optics Communications, 2011  crossref  isi  scopus
    3. Elkin N.N., Napartovich A.P., Vysotsky D.V., Numerical Methods and Applications, Lecture Notes in Computer Science, 6046, eds. Dimov I., Dimov S., Kolkovska N., Springer-Verlag Berlin, 2011, 404–411  crossref  mathscinet  isi  scopus
    4. Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, Квантовая электроника, 41:9 (2011), 769–775  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 41:9 (2011), 769–775  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:121
    Полный текст:85
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020