RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 5, страницы 425–430 (Mi qe14289)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Детектирование излучения

Зависимость оптоэлектрического выпрямления в нанографитных пленках от поляризации лазерного излучения

Г. М. Михеевa, В. М. Стяпшинa, П. А. Образцовbc, Е. А. Хестановаd, С. В. Гарновc

a Институт прикладной механики УрО РАН, г. Ижевск
b Department of Physics and Mathematics, University of Eastern Finland
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
d Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Экспериментально исследовано оптоэлектрическое выпрямление в нанографитных пленках при различных поляризациях импульсного лазерного излучения на длине волны 1064 нм. Амплитуда импульсной разности потенциалов, возникающей в материале пленки в направлении, перпендикулярном плоскости падения, зависит как четная функция от угла между плоскостью поляризации и плоскостью падения лазерного излучения. Для направления вдоль плоскости падения эта зависимость имеет характер нечетной функции. Получены эмпирические формулы, описывающие преобразование мощности импульса света в амплитуду импульсного электрического напряжения в зависимости от параметров эллиптически поляризованного излучения лазера. Представленные результаты объясняются возбуждением поверхностных электрических токов за счет передачи квазиимпульса света электронам при межзонных квантовых переходах, а также поверхностным фотогальваническим эффектом.

Полный текст: PDF файл (386 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, 40:5, 425–430

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 85.60.Gz, 85.60.Bt, 81.07.-b, 42.25.Ja
Поступила в редакцию: 02.02.2010

Образец цитирования: Г. М. Михеев, В. М. Стяпшин, П. А. Образцов, Е. А. Хестанова, С. В. Гарнов, “Зависимость оптоэлектрического выпрямления в нанографитных пленках от поляризации лазерного излучения”, Квантовая электроника, 40:5 (2010), 425–430 [Quantum Electron., 40:5 (2010), 425–430]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14289
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v40/i5/p425

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. G. M. Mikheev, V. A. Aleksandrov, A. S. Saushin, Tech. Phys. Lett, 37:6 (2011), 551  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    2. Gennady M. Mikheev, Albert G. Nasibulin, Ruslan G. Zonov, Antti Kaskela, Esko I. Kauppinen, Nano Lett, 2011, 1112021005  crossref  isi  scopus
    3. Petr A. Obraztsov, Gennady M. Mikheev, Sergei V. Garnov, Alexander N. Obraztsov, Yuri P. Svirko, Appl. Phys. Lett, 98:9 (2011), 091903  crossref  isi  scopus
    4. G. M. Mikheev, V. M. Styapshin, Instrum Exp Tech, 55:1 (2012), 85  crossref  isi  elib  scopus
    5. S.G.. Lebedev, Advances in High Energy Physics, 2013 (2013), 1  crossref  isi  scopus
    6. G. M. Mikheev, A. S. Saushin, O. Yu. Goncharov, G. A. Dorofeev, F. Z. Gil’mutdinov, Phys. Solid State, 56:11 (2014), 2286  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    7. Marjan Akbari, Masaru Onoda, Teruya Ishihara, Opt. Express, 23:2 (2015), 823  crossref  isi  scopus
    8. Г. М. Михеев, А. С. Саушин, В. В. Ванюков, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 635–639  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:7 (2015), 635–639  crossref  isi
    9. А. С. Саушин, К. Г. Михеев, Г. М. Михеев, ХФМ, 17:2 (2015), 305–312  mathnet
    10. Mikheev G.M. Saushin A.S. Vanyukov V.V. Mikheev K.G. Svirko Yu.P., Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2345–2352  crossref  isi  elib  scopus
    11. Mikheev K.G. Saushin A.S. Zonov R.G. Nasibulin A.G. Mikheev G.M., J. Nanophotonics, 10:1 (2016), 012505  crossref  isi  elib  scopus
    12. Zhu L., Huang Y., Yao Z., Quan B., Zhang L., Li J., Gu C., Xu X., Ren Z., Nanoscale, 9:29 (2017), 10301–10311  crossref  isi  scopus
    13. Mikheev G.M., Saushin A.S., Styapshin V.M., Svirko Yu.P., Sci Rep, 8 (2018), 8644  crossref  isi  scopus
    14. Akbari M., Gao J., Yang X., Opt. Express, 26:16 (2018), 21194–21203  crossref  isi  scopus
    15. Mikheev G.M. Saushin A.S. Styapshin V.M. Svirko Yu.P., Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 844–847  crossref  isi  scopus
    16. Г. М. Михеев, В. Я. Когай, Р. Г. Зонов, К. Г. Михеев, Т. Н. Могилева, Ю. П. Свирко, Письма в ЖЭТФ, 109:11 (2019), 739–745  mathnet  crossref  elib; G. M. Mikheev, V. Ya. Kogai, R. G. Zonov, K. G. Mikheev, T. N. Mogileva, Yu. P. Svirko, JETP Letters, 109:11 (2019), 704–709  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:616
    Полный текст:64
    Литература:36
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020