Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 8, страницы 661–681 (Mi qe14375)  

Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

Обзор

Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения

И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обзор посвящен мощным полупроводниковым лазерам. Дана историческая справка, рассмотрены физические и технологические основы, а также сформулирована концепция мощных полупроводниковых лазеров. Определены фундаментальные и технологические причины, ограничивающие оптическую мощность полупроводникового лазера. Представлены результаты исследований мощных полупроводниковых лазеров в непрерывном и импульсном режимах генерации. Основное внимание уделено рассмотрению результатов экспериментальных исследований одиночных мощных полупроводниковых лазеров. Обзор базируется, в основном, на данных, полученных в лаборатории полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

Полный текст: PDF файл (582 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, 40:8, 661–681

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh
Поступила в редакцию: 04.06.2010

Образец цитирования: И. С. Тарасов, “Мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур раздельного ограничения”, Квантовая электроника, 40:8 (2010), 661–681 [Quantum Electron., 40:8 (2010), 661–681]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14375
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v40/i8/p661

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. V. V. Kabanov, Ye. V. Lebiadok, G. I. Ryabtsev, A. S. Smal, M. A. Shchemelev, D. A. Vinokurov, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, Semiconductors, 46:10 (2012), 1316  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    2. Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, Semiconductors, 46:8 (2012), 1044  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. I. S. Shashkin, D. A. Vinokurov, A. V. Lyutetskiy, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, N. A. Rudova, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, D. A. Veselov, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, Semiconductors, 46:9 (2012), 1211  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. Crump P., Wenzel H., Erbert G., Traenkle G., High-Power Diode Laser Technology and Applications X, Proceedings of SPIE, 8241, ed. Zediker M., SPIE-Int Soc Optical Engineering, 2012, 82410U  crossref  isi  scopus
    5. V. V. Zolotarev, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, A. A. Podoskin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, V. V. Shamakhov, I. N. Arsent’ev, L. S. Vavilova, K. V. Bakhvalov, I. S. Tarasov, Semiconductors, 47:1 (2013), 122  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 149–156  mathnet  elib; Quantum Electron., 44:2 (2014), 149–156  crossref  isi
    7. З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, Квантовая электроника, 44:9 (2014), 801–805  mathnet  elib; Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805  crossref  isi
    8. Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Gordeev N.Yu., Shernyakov Yu.M., Payusov A.S., Maximov M.V., Kaluzhniy N.A., Mintairov S.A., Lantratov V.M., Vashanova K.A., Kulagina M.M., Rouvimov S., High-Power Diode Laser Technology and Applications Xii, Proceedings of Spie, 8965, ed. Zediker M., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2014, 89650Q  crossref  isi  scopus
    9. Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Maximov M.V., Gordeev N.Yu., Kaluzhniy N.A., Mintairov S.A., Payusov A.S., Shernyakov Yu.M., Vashanova K.A., Kulagina M.M., Schmidt N.Yu., Physics and Simulation of Optoelectronic Devices Xxiii, Proceedings of Spie, 9357, eds. Witzigmann B., Osinski M., Henneberger F., Arakawa Y., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2015, 93570X  crossref  isi  scopus
    10. Avrutin E.A., Ryvkin B.S., 2015 IEEE High Power Diode Lasers and Systems Conference (HPD) (Coventry, United Kingdom), IEEE, 2015, 9–10  crossref  isi  scopus
    11. Ivanov S.A., Nikonorov N.V., Ignat'ev A.I., Zolotarev V.V., Lubyanskiy Ya.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Semiconductors, 50:6 (2016), 819–823  crossref  isi  elib  scopus
    12. Kovalev A.A., Liberman A.A., Mikryukov A.S., Moskalyuk S.A., Ulanovskii M.V., Meas. Tech., 58:11 (2016), 1195–1199  crossref  isi  elib  scopus
    13. Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Maximov M.V., Gordeev N.Yu., Kaluzhniy N.A., Mintairov S.A., Payusov A.S., Shernyakov Yu.M., SPIE LASE (San Francisco, California, United States, Saturday 13 February 2016), SPIE Proceedings, 9733, ed. Zediker M., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2016, 97330P  crossref  isi  scopus
    14. Avrutin E.A., Ryvkin B.S., 2016 International Semiconductor Laser Conference (Islc), IEEE International Semiconductor Laser Conference, IEEE, 2016  isi
    15. Avrutin E.A., Ryvkin B.S., Semicond. Sci. Technol., 32:1 (2017), 015004  crossref  isi  scopus
    16. Е. М. Притоцкий, А. П. Притоцкая, М. А. Панков, Comp. nanotechnol., 2017, № 2, 94–96  mathnet  elib
    17. Rzhanov A., Xi International Symposium on Photon Echo and Coherent Spectroscopy (Pecs-2017), Epj Web of Conferences, 161, eds. Samartsev V., Kalachev A., Naumov A., Gladush M., Karimullin K., E D P Sciences, 2017, UNSP 02022  crossref  isi  scopus
    18. Piprek J., Li Zh.-M., IEEE Photonics Technol. Lett., 30:10 (2018), 963–966  crossref  isi  scopus
    19. П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 495–501  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:6 (2018), 495–501  crossref  isi
    20. В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Квантовая электроника, 48:9 (2018), 807–812  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:9 (2018), 807–812  crossref  isi
    21. Piprek J., Opt. Quantum Electron., 51:2 (2019), 60  crossref  isi  scopus
    22. О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 649–652  mathnet; Quantum Electron., 49:7 (2019), 649–652  crossref  isi  elib
    23. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 722–726  mathnet; Quantum Electron., 50:8 (2020), 722–726  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:1101
    Полный текст:791
    Литература:64
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022