RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 2, страницы 158–162 (Mi qe1438)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Создание на поверхности алмазных пленок антиотражающих микроструктур методом лазерного рисования

В. В. Кононенкоa, Т. В. Кононенкоa, В. И. Коновa, С. М. Пименовa, С. В. Гарновb, А. В. Тищенкоa, A. М. Прохоровa, А. В. Хомичc

a Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
c Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва

Аннотация: Предложена и экспериментально реализована методика просветления алмазных пластин в ИК диапазоне спектра путем создания на их поверхности регулярной рельефной структуры с периодом меньше длины волны излучения. Микроструктурирование поверхности алмаза осуществлялось в режиме рисования сфокусированным лучом Nd:YAP-лазера (λ = 1078 нм) и сканированием изображения шаблона в проекционной схеме с использованием эксимерного KrF-лазера (λ = 248 нм). Минимальный период полученных структур, состоящих из набора каналов или кратеров, составлял 3 мкм. Исследовано влияние глубины создаваемых структур на коэффициент пропускания алмазной пластины. Увеличение пропускания на длине волны 10.6 мкм для пластины, обработанной с двух сторон, достигало 10%, при этом просветлениe наблюдалoсь в широком спектральном диапазоне (10 — 20 мкм).

Полный текст: PDF файл (480 kB)

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1999, 29:2, 158–162

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 81.65.Cf, 78.66.Db, 42.79.Dj
Поступила в редакцию: 30.10.1998

Образец цитирования: В. В. Кононенко, Т. В. Кононенко, В. И. Конов, С. М. Пименов, С. В. Гарнов, А. В. Тищенко, A. М. Прохоров, А. В. Хомич, “Создание на поверхности алмазных пленок антиотражающих микроструктур методом лазерного рисования”, Квантовая электроника, 26:2 (1999), 158–162 [Quantum Electron., 29:2 (1999), 158–162]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe1438
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v26/i2/p158

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Konov V.I., Laser Photon. Rev., 6:6 (2012), 739–766  crossref  isi  elib  scopus
    2. М. А. Завьялова, Компьютерная оптика, 40:6 (2016), 863–870  mathnet  crossref
    3. В. В. Кононенко, Е. В. Бушуев, Е. В. Заведеев, П. В. Волков, А. Ю. Лукьянов, В. И. Конов, Квантовая электроника, 47:11 (2017), 1012–1016  mathnet  elib; Quantum Electron., 47:11 (2017), 1012–1016  crossref  isi
    4. Т. В. Кононенко, П. А. Пивоваров, А. А. Хомич, Р. А. Хмельницкий, В. И. Конов, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 244–250  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:3 (2018), 244–250  crossref  isi
    5. Rogalin V.E. Krymskii M.I. Krymskii K.M., J. Commun. Technol. Electron., 63:11 (2018), 1326–1334  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:168
    Полный текст:71
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020