RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 9, страницы 753–755 (Mi qe14399)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Письма

Показатель преломления монокристаллов моноизотонных 28Si, 29Si и 30Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне

В. Г. Плотниченкоa, В. О. Назарьянцb, Е. Б. Крюковаc, В. В. Колташевa, В. О. Соколовa, А. В. Гусевd, В. А. Гавваd, М. Ф. Чурбановd, Е. М. Диановa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Тарусский филиал Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН
c Институт геохимии и аналитической химии им. В. И. Вернадского РАН, г. Москва
d Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Получены монокристаллы кремния 28Si, 29Si и 30Si с содержанием основного изотопа более 99.9 ат.% и natSi с природным изотопным составом. Содержание примесей кислорода и углерода во всех кристаллах не превышает 5×1015 см-3, а примесей металлов — 10-3 - 10-6 ат.%. В диапазоне длин волн 1.05 — 25.5 мкм усовершенствованным методом интерференционной рефрактометрии впервые измерена спектральная зависимость показателя преломления (ПП), рассчитаны дисперсия и материальная дисперсия ПП для всех полученных монокристаллов.

Полный текст: PDF файл (131 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, 40:9, 753–755

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.25.Gy, 32.10.Bi, 78.20.Ci
Поступила в редакцию: 14.07.2010

Образец цитирования: В. Г. Плотниченко, В. О. Назарьянц, Е. Б. Крюкова, В. В. Колташев, В. О. Соколов, А. В. Гусев, В. А. Гавва, М. Ф. Чурбанов, Е. М. Дианов, “Показатель преломления монокристаллов моноизотонных 28Si, 29Si и 30Si в ближнем и среднем ИК-диапазоне”, Квантовая электроника, 40:9 (2010), 753–755 [Quantum Electron., 40:9 (2010), 753–755]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14399
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v40/i9/p753

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Plotnichenko V.G., Nazaryants V.O., Kryukova E.B., Koltashev V.V., Sokolov V.O., Gusev A.V., Gavva V.A., Kotereva T.V., Churbanov M.F., Dianov E.M., Appl. Optics, 50:23 (2011), 4633–4641  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    2. Nesmelova I.M., Astaf'ev N.I., Kulakova N.A., J. Opt. Technol., 79:3 (2012), 191–193  crossref  isi  elib  scopus
    3. Sozin A.Yu., Bulanov A.D., Churbanov M.F., Chernova O.Yu., Sorochkina T.G., Nushtaeva L.B., Inorg. Mater., 53:1 (2017), 27–34  crossref  isi  scopus
    4. Bulanov A.D., Gavva V.A., Sozin A.Yu., Churbanov M.F., Kotereva V T., Kirillov Yu.P., Lashkov A.Yu., Troshin O.Yu., Sorochkina T.G., Chernova O.Yu., Abrosimov V N., Shabarova V L., Inorg. Mater., 54:10 (2018), 977–983  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:240
    Полный текст:94
    Литература:41
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020