RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 10, страницы 855–857 (Mi qe14405)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности

В. Я. Алешкинa, Т. С. Бабушкинаb, А. А. Бирюковb, А. А. Дубиновa, Б. Н. Звонковb, М. Н. Колесниковb, В. И. Некоркинb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с выводом излучения через подложку, что позволило получить в лазере с длиной резонатора 0.8 мм и шириной полоскового контакта 360 мкм значительный выход излучения в узком угловом интервале (около 1 — 28) с энергией излучения 170 мкДж в режиме накачки одиночным импульсом тока с амплитудой 88 А и длительностью 5 мкс.

Полный текст: PDF файл (95 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, 40:10, 855–857

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 20.07.2010

Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010), 855–857 [Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14405
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v40/i10/p855

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. В. Р. Барышев, Н. С. Гинзбург, Квантовая электроника, 41:9 (2011), 776–781  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 41:9 (2011), 776–781  crossref  isi
    2. С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 931–933  mathnet  elib; Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933  crossref  isi
    3. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, Квантовая электроника, 44:4 (2014), 286–288  mathnet  elib; Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  crossref  isi
    4. Samartsev I.V., Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kolpakov D.A., Nekorkin S.M., Semiconductors, 49:12 (2015), 1571–1574  crossref  adsnasa  isi  scopus
    5. Kolpakov D.A., Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Semiconductors, 49:11 (2015), 1440–1442  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. Baydus N.V. Nekorkin S.M. Kolpakov D.A. Ershov A.V. Aleshkin V.Ya. Dubinov A.A. Afonenko A.A., Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:178
    Полный текст:98
    Литература:24
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020