RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 11, страницы 1021–1033 (Mi qe14443)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Фотоника и нанотехнологии

Импульсная лазерная абляция бинарных полупроводников: механизмы испарения и генерация кластеров

А. В. Булгаковa, А. Б. Евтушенкоa, Ю. Г. Шуховa, И. Озеровb, В. Маринb

a Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
b Université de la Mediterranée, CINaM, UPR CNRS, Marseille, France

Аннотация: Проведено сравнительное исследование формирования малых кластеров при импульсной абляции в вакууме двух бинарных полупроводников, оксида цинка и фосфида индия, лазерными импульсами УФ, видимого и ИК диапазонов. Найдены условия облучения, при которых в продуктах абляции образуются нейтральные и заряженные кластеры ZnnOm и InnPm различной стехиометрии. Методом времяпролетной масс-спектрометрии анализировались размер и состав кластеров, динамика их разлета и реакционная способность. Особое внимание уделено изучению механизмов абляции ZnO и InP в зависимости от интенсивности излучения с привлечением различных моделей абляции. Установлено, что ZnO испаряется конгруэнтно в широком диапазоне условий облучения, а при абляции InP поверхность мишени обогащается индием. Показано, что столь разный характер абляции полупроводников определяет состав формирующихся наноструктур: кластеры оксида цинка являются преимущественно стехиометрическими, тогда как частицы InnPm существенно обогащены индием.

Полный текст: PDF файл (1512 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2010, 40:11, 1021–1033

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 79.20.Ds, 36.40.-c, 52.38.Mf, 81.07.-b
Поступила в редакцию: 19.08.2010

Образец цитирования: А. В. Булгаков, А. Б. Евтушенко, Ю. Г. Шухов, И. Озеров, В. Марин, “Импульсная лазерная абляция бинарных полупроводников: механизмы испарения и генерация кластеров”, Квантовая электроника, 40:11 (2010), 1021–1033 [Quantum Electron., 40:11 (2010), 1021–1033]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14443
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v40/i11/p1021

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    Исправления

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Nadezhda M. Bulgakova, Anton B. Evtushenko, Yuri G. Shukhov, Sergey I. Kudryashov, Alexander V. Bulgakov, Applied Surface Science, 2011  crossref  isi  scopus
    2. E. V. Trushin, I. L. Zilberberg, A. V. Bulgakov, Phys. Solid State, 54:4 (2012), 859  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. Liu N., Moumanis Kh., Dubowski J.J., J. Laser Micro Nanoeng., 7:2 (2012), 130–136  crossref  isi  scopus
    4. María Jadraque, Anton B. Evtushenko, David Ávila-Brande, Marien López-Arias, Vincent Loriot, Yuri G. Shukhov, Lidiya S. Kibis, Alexander V. Bulgakov, Margarita Martín, J. Phys. Chem. C, 2013, 1303041006  crossref  isi  scopus
    5. A.A.. Morozov, J. Chem. Phys, 139:23 (2013), 234706  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. V. I. Egorov, I. V. Zvyagin, D. A. Klyukin, A. I. Sidorov, J. Opt. Technol, 81:5 (2014), 270  crossref  isi  elib  scopus
    7. A.V.. Bulgakov, Nathan Goodfriend, Oleg Nerushev, N.M.. Bulgakova, S.V.. Starinskiy, J. Opt. Soc. Am. B, 31:11 (2014), C15  crossref  isi  elib  scopus
    8. A. A. Morozov, A. B. Evtushenko, A. V. Bulgakov, Appl. Phys. Lett, 106:5 (2015), 054107  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    9. A.A. Morozov, J. Phys. D: Appl. Phys, 48:19 (2015), 195501  crossref  adsnasa  isi  scopus
    10. В. И. Егоров, А. В. Нащекин, А. И. Сидоров, Квантовая электроника, 45:9 (2015), 858–862  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:9 (2015), 858–862  crossref  isi
    11. Han B.S., Caliskan S., Sohn W., Kim M., Lee J.-K., Jang H.W., Nanoscale Res. Lett., 11 (2016), 221  crossref  isi  scopus
    12. Starinskiy S.V., Shukhov Yu.G., Bulgakov A.V., Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 411–414  crossref  isi  elib  scopus
    13. Starinskiy S.V., Shukhov Yu.G., Bulgakov A.V., Appl. Surf. Sci., 396 (2017), 1765–1774  crossref  isi  scopus
    14. А. И. Сидоров, В. Ф. Лебедев, А. А. Кобранова, А. В. Нащекин, Квантовая электроника, 48:1 (2018), 45–48  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:1 (2018), 45–48  crossref  isi
    15. Jayasekharan T., Chem. Phys. Lett., 699 (2018), 48–54  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:275
    Полный текст:114
    Литература:29
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020