RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 9, страницы 769–775 (Mi qe14624)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Моделирование полупроводникового лазера на основе резонансной решетки квантовых ям с внешним зеркалом

Д. В. Высоцкийa, Н. Н. Ёлкинa, А. П. Напартовичa, В. И. Козловскийb, Б. М. Лаврушинb

a Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Для полупроводникового лазера с резонансной решеткой квантовых ям (КЯ) и внешним зеркалом разработана трёхмерная численная модель, используемая для расчёта импульсов генерации субмикросекундного диапазона, длинных по сравнению с временем выхода на стационарный режим и достаточно коротких для того, чтобы пренебречь нагревом среды. Найдены взаимосогласованные решения уравнения Гельмгольца для поля и системы уравнений диффузии для инверсии в каждой КЯ. Источником носителей заряда может быть как электронный пучок, так и пучок излучения лазера накачки. В результате расчётов найдены продольный и радиальный профили генерируемого поля, его длина волны и мощность. Определен эффективный пороговый ток накачки. Время вычислений в созданном итерационном алгоритме линейно растёт с числом КЯ, что позволяет находить характеристики лазера с большим количеством КЯ. Приведены результаты расчёта мощности и угла расходимости выходного пучка лазера с цилиндрической симметрией для разных длин резонатора и радиусов пятна накачки. После расчёта характеристик основной моды дополнительно рассчитаны моды высших порядков на фоне замороженных распределений носителей в решетке КЯ. Показано, что все конкурирующие моды остаются ниже порога возбуждения для мощностей накачки, реализованных в эксперименте. Проведено качественное сопоставление данных расчёта и эксперимента при накачке лазера наносекундным электронным пучком.

Полный текст: PDF файл (952 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, 41:9, 769–775

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf, 85.35.Be
Поступила в редакцию: 01.04.2011

Образец цитирования: Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, “Моделирование полупроводникового лазера на основе резонансной решетки квантовых ям с внешним зеркалом”, Квантовая электроника, 41:9 (2011), 769–775 [Quantum Electron., 41:9 (2011), 769–775]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14624
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v41/i9/p769

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Nikolay N. Elkin, Anatoly P. Napartovich, Dmitry V. Vysotsky, Optics Communications, 2011  crossref  isi  scopus
    2. Kozlovsky V.I. Okhotnikov O.G. Popov Yu.M., IEEE J. Quantum Electron., 49:1 (2013), 108–113  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:168
    Полный текст:86
    Литература:29
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020