RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 1, страницы 34–38 (Mi qe14750)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Излучение полупроводниковой мишени газового диода, возбуждаемой электронным пучком

К. В. Бережнойa, М. Б. Бочкаревb, Г. Л. Даниелянc, А. С. Насибовa, А. Г. Реутоваb, С. А. Шунайловb, М. И. Яландинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
c Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследовано излучение полупроводниковой мишени газонаполненного диода, возбуждаемой электронным пучком при различных давлениях газа (воздух). На острийный катод диода подавались субнаносекундные импульсы высокого напряжения (до 200 кВ). Использовались мишени из монокристаллической пленки СdS толщиной 15 — 20 мкм с отражающими покрытиями, образующими оптический резонатор, и пластины из ZnSe толщиной 0.7 — 1 мм. С увеличением давления воздуха от 0.1до 5 Тор наблюдалось уменьшение амплитуды и длительности импульсов лазерного излучения мишеней. Лазерная генерация (λ = 520 нм) мишеней из CdS прекращалась при давлении свыше 2.2 Тор. Длительность импульса лазерного излучения менялась в пределах 125 — 20 пс. Исследование динамики излучения мишеней из ZnSe (λ = 460 нм) при атмосферном давлении показало, что при зазорах между мишенью и электродами 0.2 — 1 мм наблюдается интенсивное приповерхностное свечение, состоящее из нескольких импульсов длительностью от 20 до 100 пс, вызванное убегающими электронами. Исследования показали, что убегающие электроны могут играть существенную роль при возбуждении полупроводников субнаносекундными импульсами высокого напряжения.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, газовый диод, убегающие электроны.

Полный текст: PDF файл (783 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, 42:1, 34–38

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 52.80.-s
Поступила в редакцию: 19.10.2011

Образец цитирования: К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, Г. Л. Даниелян, А. С. Насибов, А. Г. Реутова, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, “Излучение полупроводниковой мишени газового диода, возбуждаемой электронным пучком”, Квантовая электроника, 42:1 (2012), 34–38 [Quantum Electron., 42:1 (2012), 34–38]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14750
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v42/i1/p34

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. K. A. Sharypov, V. G. Shpak, S. A. Shunailov, M. R. Ul'masculov, M. I. Yalandin, Rev. Sci. Instrum, 84:5 (2013), 055110  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    2. А. С. Насибов, К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, А. Г. Садыкова, П. В. Шапкин, С. А. Шунайлов, Квантовая электроника, 44:3 (2014), 201–205  mathnet  elib; Quantum Electron., 44:3 (2014), 201–205  crossref  isi
    3. A. S. Nasibov, K. V. Berezhnoy, M. B. Bochkarev, A. G. Sadykova, S. A. Shunailov, M. I. Yalandin, Bull. Lebedev Phys. Inst., 44:1 (2017), 13–16  crossref  isi  scopus
    4. M. I. Yalandin, M. B. Bochkarev, S. A. Shunailov, A. G. Sadykova, A. S. Nasibov, V. G. Bagramov, K. V. Berezhnoi, B. I. Vasil'ev, Instrum. Exp. Tech., 60:5 (2017), 710–715  crossref  isi  scopus
    5. Nasibov A.S., Bagramov V.G., Berezhnoy K.V., Bochkarev M.B., Sadykova A.G., Tasmagulov I.D., Sharypov K.A., Bull. Lebedev Phys. Inst., 46:1 (2019), 1–4  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:154
    Полный текст:60
    Литература:30
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019