RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 3, страницы 208–210 (Mi qe14798)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Активные среды

Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

Г. Ю. Орловаa, В. И. Власовb, Ю. Д. Заварцевb, А. И. Загуменныйb, И. И. Калашниковаa, С. А. Кутовойb, В. С. Наумовa, А. А. Сироткинb

a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Впервые обнаружена зависимость эффективности генерации лазеров с полупроводниковой накачкой и активными элементами из кристаллов ортованадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов иттрия-гадолиния и иттрияскандия (ванадатов редкоземельных элементов) от степени структурного несовершенства (качества) кристаллов. Это позволяет предсказывать генерационные параметры на стадии заготовок без изготовления активных элементов.

Ключевые слова: ванадат иттрия, ванадат гадолиния, смешанные ванадаты редкоземельных элементов, структурное несовершенство, генерационные параметры.

Полный текст: PDF файл (347 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, 42:3, 208–210

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj, 61.05.Cp
Поступила в редакцию: 22.11.2011
Исправленный вариант: 13.02.2012

Образец цитирования: Г. Ю. Орлова, В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, И. И. Калашникова, С. А. Кутовой, В. С. Наумов, А. А. Сироткин, “Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 208–210 [Quantum Electron., 42:3 (2012), 208–210]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14798
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v42/i3/p208

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. J.Z. Domagala, W. Paszkowicz, J. Bak-Misiuk, O.N. Ermakova, H. Dabkowska, Radiation Physics and Chemistry, 2013  crossref  isi  scopus
    2. M. Piz, E. Filipek, J. Therm. Anal. Calorim., 130:1 (2017), 277–283  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:176
    Полный текст:91
    Литература:19
    Первая стр.:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020