RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 7, страницы 583–587 (Mi qe14842)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком

В. И. Козловскийa, П. И. Кузнецовb, Д. Е. Свиридовa, Г. Г. Якущеваb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Реализована импульсная лазерная генерация на длине волны 465 нм при продольной накачке электронным пучком гетероструктуры Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с 30 квантовыми ямами, выращенной методом парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При кривизне внешнего сферического зеркала 30 мм и коэффициенте его пропускания 3 %, а также энергии электронов 42 кэВ пиковая мощность генерации достигала 1.4 Вт. Длительность импульса составляла 20 — 40 нс, ширина спектра не превышала 0.3 нм, расходимость излучения была примерно 4 — 5 мрад, что близко к дифракционному пределу.

Ключевые слова: полупроводниковый дисковый лазер, накачка электронным пучком, гетероструктура ZnCdSe/ZnMgSSe, квантовая яма, парофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

Полный текст: PDF файл (840 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, 42:7, 583–587

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 42.60.Da, 42.60.Jf, 78.67.De
Поступила в редакцию: 02.03.2012
Исправленный вариант: 10.04.2012

Образец цитирования: В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, Д. Е. Свиридов, Г. Г. Якущева, “Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 42:7 (2012), 583–587 [Quantum Electron., 42:7 (2012), 583–587]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14842
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v42/i7/p583

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. M. E. Yahia, I. M. Azzouz, W. M. Moslem, Appl. Phys. Lett, 103:8 (2013), 082105  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    2. Kozlovsky V.I., Okhotnikov O.G., Popov Yu.M., IEEE J. Quantum Electron., 49:1 (2013), 108–113  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. Kozlovsky V.I., Krivobok V.S., Kuznetsov P.I., Nikolaev S.N., Onistchenko E.E., Pruchkina A.A., Timiryazev A.G., Chentsov S.I., Semiconductors, 50:1 (2016), 8–15  crossref  adsnasa  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:152
    Полный текст:67
    Литература:30
    Первая стр.:4
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020