RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 943–948 (Mi qe14901)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Фотоприемники

Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием

П. Н. Аруевa, М. М. Барышеваb, Б. Я. Берa, Н. В. Забродскаяa, В. В. Забродскийa, А. Я. Лопатинb, А. Е. Пестовb, М. В. Петренкоa, В. Н. Полковниковb, Н. Н. Салащенкоb, В. Л. Сухановa, Н. И. Чхалоb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Разработана методика создания кремниевого фотодиода с интегрированным узкополосным Zr/Si фильтром для экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) спектрального диапазона. Создана установка для измерения профиля чувствительности детекторов с пространственным разрешением лучше 100 мкм. Исследованы оптические свойства кремниевых фотодиодов в ЭУФ и видимом спектральных диапазонах. Проведено сравнение ряда характеристик диодов SPD-100UV с Zr/Si-покрытием и без покрытия и AXUV-100. У всех типов детекторов обнаружена узкая область вне рабочей апертуры, чувствительная к видимому свету.

Ключевые слова: ЭУФ-излучение, кремниевый фотодиод, детектор, ЭУФ-фильтр.

Полный текст: PDF файл (890 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, 42:10, 943–948

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 85.60.Dw, 42.79.Pw
Поступила в редакцию: 27.07.2012
Исправленный вариант: 06.08.2012

Образец цитирования: П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14901
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v42/i10/p943

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. N. N. Salashchenko, M. V. Svechnikov, N. I. Chkhalo, A. V. Sherbakov, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys, 78:1 (2014), 64  crossref  elib  scopus
    2. Z. Alaie, S. Mohammad Nejad, M.H. Yousefi, Materials Science in Semiconductor Processing, 2014  crossref  isi  scopus
    3. N. I. Chkhalo, A. E. Pestov, N. N. Salashchenko, A. V. Sherbakov, E. V. Skorokhodov, Rev. Sci. Instrum, 86:6 (2015), 063701  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. V. O. Dogadin, S. Yu. Zuev, N. N. Salashchenko, N. I. Chkhalo, A. V. Shcherbakov, J. Synch. Investig, 9:4 (2015), 726  crossref  scopus
    5. А. Н. Нечай, А. Е. Пестов, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало, Н. Н. Цыбин, А. В. Щербаков, Квантовая электроника, 46:4 (2016), 347–352  mathnet; Quantum Electron., 46:4 (2016), 347–352  crossref  isi  elib
    6. С. А. Гарахин, И. Г. Забродин, С. Ю. Зуев, И. А. Каськов, А. Я. Лопатин, А. Н. Нечай, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, Н. Н. Цыбин, Н. И. Чхало, М. В. Свечников, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 385–392  mathnet  elib; Quantum Electron., 47:4 (2017), 385–392  crossref  isi
    7. Chkhalo N.I., Garakhin S.A., Golubev S.V., Lopatin A.Ya., Nechay A.N., Pestov A.E., Salashchenko N.N., Toropov M.N., Tsybin N.N., Vodopyanov A.V., Yulin S., Appl. Phys. Lett., 112:22 (2018), 221101  crossref  isi  scopus
    8. А. В. Митрофанов, Квантовая электроника, 48:2 (2018), 105–114  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:2 (2018), 105–114  crossref  isi
    9. Shalashov A.G., Vodopyanov A.V., Abramov I.S., Sidorov A.V., Gospodchikov E.D., Razin S.V., Chkhalo N.I., Salashchenko N.N., Glyavin M.Yu., Golubev S.V., Appl. Phys. Lett., 113:15 (2018), 153502  crossref  isi  scopus
    10. Gottwald A., Kroth U., Kalinina E., Zabrodskii V., Appl. Optics, 57:28 (2018), 8431–8436  crossref  isi  scopus
    11. Chkhalo N.I., Garakhin S.A., Lopatin A.Ya., Nechay A.N., Pestov A.E., Polkovnikov V.N., Salashchenko N.N., Tsybin N.N., Zuev S.Yu., AIP Adv., 8:10 (2018), 105003  crossref  isi  scopus
    12. Lopatin A.Ya., Par'ev D.E., Pestov A.E., Salashchenko N.N., Chkhalo N.I., Demin G.D., Dyuzhev N.A., Makhiboroda M.A., Kochetkov A.A., J. Exp. Theor. Phys., 127:6 (2018), 985–993  crossref  isi  scopus
    13. Vodopyanov A., Razin S., Viktorov M., Sidorov A., IEEE Trans. Plasma Sci., 47:1, 3 (2019), 828–831  crossref  isi  scopus
    14. Chkhalo I N., Lopatin A.Ya., Pestov A.E., Salashchenko N.N., Demin G.D., Dyuzhev N.A., Makhiboroda M.A., Proceedings of Spie, 11022, eds. Lukichev V., Rudenko K., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2019, UNSP 110221M  crossref  isi  scopus
    15. А. Н. Нечай, С. А. Гарахин, А. Я. Лопатин, В. Н. Полковников, Д. Г. Реунов, Н. Н. Салащенко, М. Н. Торопов, Н. И. Чхало, Н. Н. Цыбин, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 408–413  mathnet; Quantum Electron., 50:4 (2020), 408–413  crossref  isi  elib
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:328
    Полный текст:149
    Литература:23
    Первая стр.:3
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021