RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 11, страницы 964–979 (Mi qe14946)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Приглашенная статья

Волоконные нелинейно-оптические устройства с накачкой полупроводниковыми дисковыми лазерами

А. Ю. Чаморовский, О. Г. Охотников

Optoelectronics Research Center, Tampere University of Technology, Finland

Аннотация: Предложено использовать полупроводниковые дисковые лазеры в качестве источников накачки в волоконных лазерных устройствах на основе эффекта вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР). К достоинствам дисковых лазеров относятся малая относительная интенсивность шума (менее —150 дБ/Гц), возможность генерации сигнала с мощностью порядка нескольких ватт и дифракционное качество выходного пучка, обеспечивающее эффективность ввода излучения в одномодовый световод 70 % — 90 %. Такой подход позволил реализовать малошумящие волоконные усилители для спектрального диапазона 1.3 мкм. С целью увеличения эффективности усилителя предложена схема гибридного усилителя, в котором наряду с активным кварцевым световодом, легированным висмутом,используется ВКР. Экспериментально показана возможность создания пикосекундных волоконных лазеров в режиме синхронизации мод, работающих в условиях нормальной и аномальной дисперсии. Волоконный лазер на длине волны 1.38 мкм в режиме нормальной дисперсии генерировал импульсы длительностью 1.97 пс. Накачка осуществлялась с помощью полупроводникового дискового лазера, работающего на длине волны 1.29 мкм. Предложена схема импульсного лазера с рабочей длиной волны 1.6 мкм и длительностью импульса 2.7 пс на основе ВКР, в котором источником накачки служит полупроводниковый дисковый лазер, излучающий на длине волны 1.48 мкм. С помощью излучения пикосекундного полупроводникового дискового лазера, усиленного эрбиевым волоконным усилителем, получена генерация сверхширокого оптического спектра в диапазоне 1.35 — 2 мкм со средней мощностью 3.5 Вт.

Ключевые слова: полупроводниковый дисковый лазер, волоконные лазеры и усилители, полупроводниковое насыщающееся зеркало, генерация коротких импульсов, вынужденное комбинационное рассеяние, генерация суперконтинуума.

Полный текст: PDF файл (4993 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2012, 42:11, 964–979

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Wd, 42.55.Px, 42.55.Ye, 42.65.Dr, 42.60.Da, 42.60.Fc
Поступила в редакцию: 11.07.2012

Образец цитирования: А. Ю. Чаморовский, О. Г. Охотников, “Волоконные нелинейно-оптические устройства с накачкой полупроводниковыми дисковыми лазерами”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 964–979 [Quantum Electron., 42:11 (2012), 964–979]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe14946
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v42/i11/p964

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Antti Rantamäki, Alexei Sirbu, E.J.. Saarinen, Jari Lyytikäinen, Alexandru Mereuta, Opt. Lett, 39:16 (2014), 4855  crossref  isi  scopus
    2. Rantamaki A., Saarinen E.J., Lyytikainen J., Heikkinen J., Kontio J.M., Lahtonen K., Valden M., Okhotnikov O.G., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 21:6 (2015), 1501507  crossref  isi  scopus
    3. Heikkinen J. Gumenyuk R. Rantamaki A. Lyytikainen J. Leinonen T. Zolotovskii I. Melkumov M. Dianov E.M. Okhotnikov O.G., Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers (Vecsels) V, Proceedings of Spie, 9349, ed. Guina M., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2015, 93490E  crossref  isi  scopus
    4. Gumenyuk R. Okhotnikova E.O. Filippov V. Korobko D.A. Zolotovskii I.O. Guina M., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 24:3 (2018), 0901914  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:307
    Полный текст:116
    Литература:26
    Первая стр.:6
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021