Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 7, страницы 638–645 (Mi qe15175)  

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Лазерная спектроскопия

Роль переходных процессов в спектроскопии резонансных линий атомов цезия в ячейках с антирелаксационным покрытием

Д. И. Севостьяновa, В. П. Яковлевa, А. Н. Козловbc, В. В. Васильевd, С. А. Зибровd, В. Л. Величанскийdaec

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн им. Н. В. Пушкова РАН, г. Троицк, Москва
c ООО "Энергоцентр", г. Москва
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
e Российский квантовый центр, Сколково, Московская обл.

Аннотация: Исследуются особенности спектров поглощения в D1,2-линиях Cs, вызванные оптической накачкой, в ячейках с антирелаксационным покрытием. В таких ячейках внутреннее состояние атома, возникшее при оптической накачке монохроматическим лазерным полем, с большой вероятностью сохраняется при столкновении атома со стенкой. В результате действие оптической накачки распространяется и на весь объем ячейки, и на все скорости атомов. Это приводит к зависящим от скорости сканирования искажениям контура линии поглощения. Обнаруженные особенности необходимо учитывать при работе с квантовыми магнитометрами с лазерной накачкой, в которых используются ячейки с антирелаксационным покрытием.

Ключевые слова: антирелаксационное покрытие, оптическая накачка, релаксация, внутридоплеровская спектроскопия.

Полный текст: PDF файл (842 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, 43:7, 638–645

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 32.80.Xx, 32.10.Fn, 42.62.Fi
Поступила в редакцию: 14.03.2013
Исправленный вариант: 12.04.2013

Образец цитирования: Д. И. Севостьянов, В. П. Яковлев, А. Н. Козлов, В. В. Васильев, С. А. Зибров, В. Л. Величанский, “Роль переходных процессов в спектроскопии резонансных линий атомов цезия в ячейках с антирелаксационным покрытием”, Квантовая электроника, 43:7 (2013), 638–645 [Quantum Electron., 43:7 (2013), 638–645]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe15175
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v43/i7/p638

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Y Dancheva, C Marinelli, E Mariotti, S Gozzini, L Marmugi, J. Phys.: Conf. Ser, 514 (2014), 012029  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. D.V. Brazhnikov, A.V. Taichenachev, A.M. Tumaikin, V.I. Yudin, Laser Phys. Lett, 11:12 (2014), 125702  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. Sevostianov D.I., Yakovlev V.P., Kozlov A.N., Vasil'ev V.V., Zibrov S.A., Velichansky V.L., Bull. Lebedev Phys. Inst., 41:4 (2014), 89–94  crossref  isi  elib  scopus
    4. K. A. Nasyrov, Optoelectron.Instrument.Proc, 51:2 (2015), 164  crossref  elib  scopus
    5. S. N. Atutov, F. A. Benimetskiy, A. I. Plekhanov, V. A. Sorokin, A. V. Yakovlev, Eur. Phys. J. D, 71:1 (2017), 12  crossref  isi  scopus
    6. S. A. Zibrov, E. A. Tsygankov, D. S. Chuchelov, D. I. Sevost'yanov, V. V. Vasiliev, V. L. Velichansky, V. P. Yakovlev, Opt. Spectrosc., 124:2 (2018), 143–150  crossref  isi  scopus
    7. A. Krasteva, R. K. Nasyrov, N. Petrov, S. Gateva, S. Cartaleva, K. A. Nasyrov, Optoelectron. Instrum. Data Proc., 54:3 (2018), 307–313  crossref  isi  scopus
    8. S. N. Atutov, A. I. Plekhanov, V. A. Sorokin, S. N. Bagayev, M. N. Skvortsov, A. V. Taichenachev, Eur. Phys. J. D, 72:9 (2018), 155  crossref  isi  scopus
    9. Nasyrov K.A., Gateva S., Nasyrov R.K., Petrov N., Tsvetkov S., Krasteva A., Cartaleva S., Proceedings of Spie, 11047, eds. Dreischuh T., Avramov L., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2019, UNSP 110470U  crossref  isi  scopus
    10. Tsvetkov S., Gateva S., Proceedings of Spie, 11047, eds. Dreischuh T., Avramov L., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2019, UNSP 110470V  crossref  isi  scopus
    11. Nasyrov K., Gateva S., Tsvetkov S., Nasyrov R., Cartaleva S., AIP Conference Proceedings, 2075, eds. Mishonov T., Varonov A., Amer Inst Physics, 2019, 030006-1  crossref  isi
    12. Tsygankov E.A., Zibrov S.A., Zibrov A.S., Vassiliev V.V., Chuchelov D.S., Vaskovskaya I M., Petropavlovsky V S., Yakovlev V.P., Opt. Lett., 45:18 (2020), 5205–5208  crossref  isi  scopus
    13. Chi H. Quan W. Zhang J. Zhao L. Fang J., Appl. Surf. Sci., 501 (2020), 143897  crossref  isi  scopus
    14. Krasteva A., Mariotti E., Dancheva Y., Marinelli C., Marmugi L., Stiaccini L., Gozzini S., Gateva S., Cartaleva S., J. Contemp. Phys.-Armen. Acad. Sci., 55:4 (2020), 383–396  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:253
    Полный текст:113
    Литература:23
    Первая стр.:13
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022