RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 11, страницы 999–1002 (Mi qe15193)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям

Д. В. Ушаковa, А. А. Афоненкоa, В. Я. Алешкинb

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Развита модель расчета мощностных характеристик лазерных структур с учетом неоднородного возбуждения квантовых ям (КЯ), процессов рекомбинации в барьерных областях и эффектов нелинейного усиления. Показано, что для структур Ga0.8In0.2As/GaAs/InGaP при увеличении числа КЯ мощность генерации сначала существенно возрастает, затем незначительно снижается. При этом в широком диапазоне токов инжекции оптимальное количество КЯ составляет 5 ± 1. Неоднородность возбуждения КЯ растет с увеличением тока инжекции и приводит к снижению мощности генерации по сравнению с однородным возбуждением.

Ключевые слова: GaInAs/GaAs-лазер, квантовая яма, неоднородное возбуждение, эффективность генерации.

Полный текст: PDF файл (509 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, 43:11, 999–1002

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 73.21.Fg, 78.67.De
Поступила в редакцию: 29.03.2013
Исправленный вариант: 17.07.2013

Образец цитирования: Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин, “Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям”, Квантовая электроника, 43:11 (2013), 999–1002 [Quantum Electron., 43:11 (2013), 999–1002]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe15193
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v43/i11/p999

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, Квантовая электроника, 44:4 (2014), 286–288  mathnet  elib; Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288  crossref  isi
    2. Т. Ли, Э. Хао, Ю. Чжанг, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 607–609  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:7 (2015), 607–609  crossref  isi
    3. Е. С. Дорогуш, А. А. Афоненко, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1121–1124  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:12 (2015), 1121–1124  crossref  isi
    4. Kolpakov D.A. Zvonkov B.N. Nekorkin S.M. Dikareva N.V. Aleshkin V.Ya. Dubinov A.A., Semiconductors, 49:11 (2015), 1440–1442  crossref  isi  elib  scopus
    5. S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, Semiconductors, 51:1 (2017), 73–77  crossref  isi  scopus
    6. А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 390–394  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:147
    Полный текст:54
    Литература:16
    Первая стр.:4
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020