RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 4, страницы 286–288 (Mi qe15894)  

Лазеры

Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью

Н. В. Дикареваa, С. М. Некоркинa, М. В. Карзановаa, Б. Н. Звонковa, В. Я. Алешкинbc, А. А. Дубиновbc, А. А. Афоненкоd

a Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Белорусский государственный университет, г. Минск

Аннотация: Изготовлены полупроводниковые лазеры с узкой (~2°) диаграммой направленности как в плоскости p–n-перехода, так и перпендикулярно ей. Для достижения малой расходимости излучения в плоскости p–n-перехода активная область лазера в ней была изготовлена в виде трапеции. Узкая диаграмма направленности в плоскости, перпендикулярной p–n-переходу, обеспечивалась использованием вытекающей моды, через которую выходило более 90% мощности излучения лазера.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, активная область, квантовая яма, вытекающая мода.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (437 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2014, 44:4, 286–288

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 85.35.Be
Поступила в редакцию: 18.12.2013

Образец цитирования: Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014), 286–288 [Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe15894
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v44/i4/p286

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:217
    Полный текст:67
    Литература:29
    Первая стр.:15
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020