RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 9, страницы 841–844 (Mi qe16027)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Исследование свойств тонких пленок CsI, CsBr, GaAs, выращенных методом импульсного лазерного напыления

В. М. Брендельa, С. В. Гарновa, Т. Ф. Ягафаровa, Л. Д. Исхаковаb, Р. П. Ермаковb

a Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Методом импульсного лазерного напыления выращены образцы тонкопленочных покрытий соединений CsI, CsBr, GaAs на стеклянных подложках. Проведены морфологические и структурные исследования полученных пленок с помощью рентгеновской дифрактометрии и сканирующей электронной микроскопии. Пленки CsI и CsBr сохраняли стехиометрический состав мишени и имели поликристаллическую структуру; повышение температуры подложки приводило к увеличению плотности пленок. Стехиометрия пленок GaAs не соответствовала составу мишени для всех образцов. Дано объяснение этому факту. Продемонстрировано, что при нарушении условия конгруэнтного переноса для импульсного лазерного напыления возможен рост пленок с сохранением стехиометрии мишени для материалов с малыми значениями температуры плавления и теплопроводности.

Ключевые слова: импульсное лазерное напыление, нанесение тонких пленок, абляция.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (2540 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2014, 44:9, 841–844

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 81.15.Fg, 68.55.-a
Поступила в редакцию: 23.10.2013
Исправленный вариант: 06.02.2014

Образец цитирования: В. М. Брендель, С. В. Гарнов, Т. Ф. Ягафаров, Л. Д. Исхакова, Р. П. Ермаков, “Исследование свойств тонких пленок CsI, CsBr, GaAs, выращенных методом импульсного лазерного напыления”, Квантовая электроника, 44:9 (2014), 841–844 [Quantum Electron., 44:9 (2014), 841–844]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16027
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v44/i9/p841

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. M. R. Lewis, R. A. Remy, B. E. Tew, J. M. O. Zide, Appl. Phys. Lett., 113:16 (2018), 163105  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:155
    Полный текст:50
    Литература:25
    Первая стр.:14
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020