RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 11, страницы 1055–1060 (Mi qe16066)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Взаимодействие лазерного излучения с веществом. Лазерная плазма

Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения

Е. В. Ивакинa, И. Г. Киселевa, В. Г. Ральченкоb, А. П. Большаковb, Е. Е. Ашкиназиb, Г. В. Шароновc

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ, г. Минск
b Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
c Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, г. Минск

Аннотация: Методами динамических решеток (ДР) и наведенного поглощения исследована кинетика плазмы свободных носителей заряда (СНЗ), создаваемой пикосекундным лазерным импульсом, в двух высокочистых монокристаллах алмаза, синтезированных из газовой фазы. Решетки с различными пространственными периодами возбуждались на длинах волн 266 или 213 нм (выше и ниже края фундаментального поглощения в алмазе) и зондировались непрерывным излучением в видимой области. При умеренных концентрациях СНЗ (~7 × 1017 см-3) коэффициент амбиполярной диффузии и время рекомбинации носителей составили для двух кристаллов 20.3 и 18.9 см2/с, 30 и 190 нс соответственно. Увеличение концентрации носителей до 5 × 1019 см-3 сокращает время жизни ДР. Определены условия, при которых релаксация решетки носителей приводит к формированию тепловой решетки с амплитудой, достаточной для ее экспериментального наблюдения.

Ключевые слова: CVD-алмаз, динамические решетки, амбиполярная диффузия, носители заряда, время рекомбинации.

Полный текст: PDF файл (624 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2014, 44:11, 1055–1060

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 52.50.Jm, 52.38.-r, 42.87.-d
Поступила в редакцию: 21.04.2014
Исправленный вариант: 02.07.2014

Образец цитирования: Е. В. Ивакин, И. Г. Киселев, В. Г. Ральченко, А. П. Большаков, Е. Е. Ашкинази, Г. В. Шаронов, “Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 1055–1060 [Quantum Electron., 44:11 (2014), 1055–1060]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16066
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v44/i11/p1055

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Lipatov E.I., Genin Dmitriy Evgen'evich, Grigor'ev Denis Valer'evich, Tarasenko V.F., “Recombination Radiation in the Diamond”, Luminescence - An Outlook on the Phenomena and Their Applications, ed. Thirumalai J., Intech Europe, 2016, 191–224  crossref  isi
    2. В. П. Пашинин, В. Г. Ральченко, А. П. Большаков, Е. Е. Ашкинази, В. И. Конов, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 201–205  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:3 (2018), 201–205  crossref  isi
    3. Ivakin E.V., Kisialiou I.G., Nykyruy L.I., Yavorskyy Y.S., “Optical Studies of Heat Transfer in Pbte:Bi(Sb) Thin Films”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1691–1695  crossref  isi  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:256
    Полный текст:14
    Литература:14
    Первая стр.:11

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019