RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 11, страницы 1077–1082 (Mi qe16068)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Источник света с высокой яркостью излучения на длине волны 13.5 нм

В. М. Борисовab, К. Н. Кошелевcb, А. В. Прокофьевab, Ф. Ю. Хаджийскийb, О. Б. Христофоровab

a Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований, г. Троицк, г. Москва
b ООО "ЭУФ Лабс", г. Троицк, г. Москва
c Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, г. Москва

Аннотация: Представлены результаты исследований по разработке высокояркостного источника излучения экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) диапазона, предназначенного для использования в проекционной ЭУФ литографии, для инспекции литографических масок, в ЭУФ метрологии и др. Новые подходы к созданию источника света на основе Z-пинча в ксеноне позволили достичь максимальной для данного типа источников яркости излучения вблизи плазмы 130 Вт(мм2·ср)-1 в 2%-ной спектральной полосе с центром на длине волны 13.5 нм, отвечающей максимуму отражения многослойных Mo/Si-зеркал. В этой спектральной полосе мощность излучения достигает 190 Вт в телесный угол 2π ср при частоте следования импульсов 1.9 кГц и вводимой в разряд электрической мощности 20 кВт.

Ключевые слова: ЭУФ источник, яркость излучения, длина волны 13.5 нм, ЭУФ литография, Z-пинч, ксенон, разрядная плазма.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (1239 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2014, 44:11, 1077–1082

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.72.Bj, 52.58.Lq
Поступила в редакцию: 06.07.2014

Образец цитирования: В. М. Борисов, К. Н. Кошелев, А. В. Прокофьев, Ф. Ю. Хаджийский, О. Б. Христофоров, “Источник света с высокой яркостью излучения на длине волны 13.5 нм”, Квантовая электроника, 44:11 (2014), 1077–1082 [Quantum Electron., 44:11 (2014), 1077–1082]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16068
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v44/i11/p1077

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Bollanti S., Di Lazzaro P., Flora F., Mezi L., Murra D., Torre A., High Power Laser Sci. Eng., 3 (2015), e29  crossref  isi  scopus
    2. Bergmann K., Vieker J., von Wezyk A., J. Appl. Phys., 120:14 (2016), 143302  crossref  isi  elib  scopus
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:258
    Полный текст:72
    Литература:19
    Первая стр.:16
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020