RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 607–609 (Mi qe16204)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом

Т. Лиa, Э. Хаоb, Ю. Чжангa

a National Key Lab. On High Power Diode Laser, Changchun University of Science and Technology, Changchun, 130033, China
b College of Physics, Jilin University, Changchun, 130021, China

Аннотация: Введение асимметричного гетероволновода в эпитаксиальную структуру диодного лазера позволило получить выходную мощность 6.21 Вт на длине волны 1060 нм. Другой вид p- и n-ограничения, основанный на оптимизации энергетических зон, использовался для уменьшения потерь напряжения и выполнения требований достижения высокой мощности и высокой эффективности от розетки. Изготовлен диодный лазер на 1060 нм с одиночной квантовой ямой и асимметричной волноводной гетероструктурой. Измерения показывают, что использование такой гетероструктуры является эффективным методом снижения потерь напряжения, улучшения ограничения инжектируемых носителей и повышения эффективности от розетки.

Ключевые слова: высокая мощность, диодный лазер, гетероволновод.
Автор для корреспонденции

Полный текст: PDF файл (566 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2015, 45:7, 607–609

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 85.35.Be, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 24.09.2014
Исправленный вариант: 24.10.2014

Образец цитирования: Т. Ли, Э. Хао, Ю. Чжанг, “Диодный лазер высокой мощности, излучающий на 1060 нм, с асимметричным гетероволноводом”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 607–609 [Quantum Electron., 45:7 (2015), 607–609]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe16204
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v45/i7/p607

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Qiao Zh., Li X., Wang H., Li T., Gao X., Qu Y., Bo B., Liu Ch., Semicond. Sci. Technol., 34:5 (2019), 055013  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:174
    Полный текст:41
    Литература:22
    Первая стр.:13
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020